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丁明正

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇探测器
  • 7篇击穿电压
  • 7篇硅基
  • 4篇晶圆
  • 4篇暗电流
  • 4篇半导体
  • 3篇增益
  • 3篇衬底
  • 2篇电荷
  • 2篇电离
  • 2篇定位方式
  • 2篇堆叠
  • 2篇栅极
  • 2篇栅介质
  • 2篇真空
  • 2篇真空加热
  • 2篇突变
  • 2篇退火
  • 2篇退火工艺
  • 2篇浅结

机构

  • 22篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 22篇丁明正
  • 12篇殷华湘
  • 12篇许高博
  • 9篇李俊峰
  • 8篇傅剑宇
  • 6篇赵超
  • 5篇贺晓彬
  • 5篇刘艳松
  • 4篇张琦辉
  • 4篇李琳
  • 4篇刘金彪
  • 4篇陈大鹏
  • 3篇徐秋霞
  • 2篇宋希明
  • 2篇杨涛
  • 2篇刘强
  • 2篇张浩
  • 2篇王垚
  • 1篇侯瑞兵
  • 1篇叶甜春

传媒

  • 1篇光子学报

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2003
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅基探测器及其制作方法
本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率...
孙朋傅剑宇许高博丁明正殷华湘陈大鹏
一种半导体器件及制备方法
本发明公开了一种半导体器件及制备方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底已形成有P阱、N阱及隔离结构；在所述衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅电极层和功函数调节层，其中，所述P阱和所述N阱上方的所述金属栅电极层为同一材料；...
许高博殷华湘徐秋霞田国良颜刚平翟琼华丁明正
文献传递
用于超浅结注入的离子源装置
本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供...
刘金彪张琦辉宋希明张浩李琳刘强丁明正李俊峰赵超
文献传递
电子束光刻方法
本发明公开了一种电子束光刻方法，包括：在结构材料层上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成电子束光刻胶；采用电子束曝光系统，对电子束光刻胶进行曝光，其中通过增加曝光剂量来提高电子束光刻胶的抗刻蚀性；采用显影液对曝光后的电子束光刻...
贺晓彬孟令款丁明正刘艳松
文献传递
一种硅基探测器及其制备方法
本发明涉及一种硅基探测器，其在不改变衬底厚度的前提下对器件的p+注入区进行设计和处理，并进行碳注入，增加产生电子‑空穴对以及产生雪崩效应的面积，从而增大器件的击穿电压，提高器件的抗辐照性能。另外，本发明引入了深沟槽环状隔...
许高博闫乙男殷华湘丁明正孙朋
一种晶圆临时键合方法
本申请公开一种晶圆临时键合方法，包括：提供并清洗器件晶圆和载片；在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体；利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体；对所述键合体中的器件晶圆进行背面工艺处理；将所述载片与所述器...
刘艳松赵超丁明正李俊峰
硅基分子筛
在生命科学高度发展的今天，生物分子的研究必须基于一组高效的分离和净化系统。基于MEMS技术的发展，我们在超薄LPCVD(低压化学气相沉积)氮化硅上，成功地制备了孔径一致，且排列有序硅基分子筛。基于半导体技术，该微筛可以低...
刘艳松丁明正李俊峰赵超
一种硅像素探测器及其制备方法
本发明涉及一种硅像素探测器，通过在硅像素探测器的边缘(即在环状电流收集区的外围)增加多个以间距递增方式排布的环状保护结构，降低了器件的漏电流并提高了击穿电压，从而提升了硅像素探测器在高电压工作条件下的灵敏度。
孙朋傅剑宇许高博丁明正殷华湘陈大鹏
文献传递
硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置
本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够...
丁明正许高博翟琼华傅剑宇孙朋殷华湘颜刚平田国良李琳张琦辉贺晓彬
硅基探测器及其制作方法
本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率...
孙朋傅剑宇许高博丁明正殷华湘陈大鹏
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