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许高博

作品数：149 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 137篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 5篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇矿业工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 51篇半导体
  • 45篇金属栅
  • 29篇晶体管
  • 29篇半导体器件
  • 27篇沟道
  • 26篇介质层
  • 21篇堆叠
  • 21篇栅介质
  • 17篇探测器
  • 17篇铁电
  • 16篇退火
  • 15篇高K栅介质
  • 15篇场效应
  • 14篇场效应晶体管
  • 13篇侧墙
  • 13篇衬底
  • 12篇刻蚀
  • 12篇功函数
  • 12篇掺杂
  • 11篇栅极

机构

  • 149篇中国科学院微...
  • 6篇中国科学院大...
  • 1篇贵州大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 149篇许高博
  • 81篇徐秋霞
  • 67篇殷华湘
  • 16篇陈大鹏
  • 12篇丁明正
  • 12篇傅剑宇
  • 11篇张青竹
  • 10篇周华杰
  • 9篇朱慧珑
  • 6篇叶甜春
  • 6篇李俊峰
  • 5篇韩郑生
  • 5篇毕津顺
  • 5篇罗军
  • 4篇梁擎擎
  • 4篇孟令款
  • 4篇贺晓彬
  • 3篇柴淑敏
  • 3篇赵超
  • 3篇杨涛

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇电子器件
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇光子学报
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 11篇2024
  • 14篇2023
  • 12篇2022
  • 16篇2021
  • 8篇2020
  • 3篇2019
  • 12篇2018
  • 6篇2017
  • 7篇2016
  • 9篇2015
  • 12篇2014
  • 10篇2013
  • 14篇2012
  • 4篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2005
共 149 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种半导体器件的制造方法
本申请公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质层和牺牲栅电极层，其中，所述栅介质层位于所述半导体衬底上，所述牺牲栅电极层位于所述栅介质层上；环绕所述栅堆叠形...
许高博徐秋霞
文献传递
一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法
本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所...
颜刚平许高博毕津顺习凯李博殷华湘王文武
文献传递
垂直纳米线晶体管与其制作方法
本申请提供了一种垂直纳米线晶体管与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供包括衬底与位于衬底上的多个间隔的纳米线的基底，各纳米线包括子纳米线，各子纳米线包括第一端部、中间部和第二端部；步骤S2，形成栅介质层与栅极；步骤...
殷华湘张青竹张兆浩许高博
文献传递
p型半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种p型半导体器件及其制造方法。该器件的结构包括：半导体衬底；沟道区，位于所述半导体衬底上；栅堆叠，位于所述沟道区上，所述栅堆叠包括栅介质层和栅电极，所述栅介质层位于所述沟道区上，所述栅电极位于栅介质层上；源...
许高博徐秋霞
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隧穿场效应晶体管及其制造方法
一种隧穿场效应晶体管，包括：沟道区，位于半导体衬底上；栅堆叠，位于沟道区上，依次包括栅介质层、第一栅电极层、表面电势放大层和第二栅电极层；源/漏区，具有第一掺杂类型的源区和第二掺杂类型的漏区位于沟道区两侧且嵌入半导体衬底...
许高博殷华湘徐秋霞
文献传递
一种动态随机存储器及其制备方法
本发明涉及一种动态随机存储器，其采用垂直沟道的薄膜晶体管和电容器相集成，利用薄膜晶体管的低漏电特性提高了动态随机存储器的数据保持时间，同时利用垂直沟道实现了4F<Sup>2</Sup>的存储单元面积。本发明还涉及所述动态...
许高博殷华湘罗军颜刚平田国良
N型MOSFET的制造方法
公开了一种N型MOSFET的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上限定N型MOSFET的有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质层；在高K栅介质层上形成金属栅层；在金属栅层中注入掺杂离...
徐秋霞许高博周华杰朱慧珑
文献传递
X射线阵列传感器、探测器及其制作方法
一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底、第一掺杂区域、第二掺杂区域阵列，与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，用于将第二掺杂区域进行电隔离；位于第二掺杂区域上、相邻的隔离覆盖结构之间...
殷华湘许高博翟琼华傅剑宇
硅基探测器及其制作方法
本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率...
孙朋傅剑宇许高博丁明正殷华湘陈大鹏
一种栅堆叠及其制造方法
本发明提供了一种栅堆叠，包括：衬底；衬底上的栅介质层以及栅介质层上的栅电极，在栅介质层与栅电极的第一界面处和/或栅介质层与衬底的第二界面处形成有电偶极子，其中，n型器件的电偶极子为La‑O或Ta‑O，p型器件的电偶极子为...
许高博徐秋霞
文献传递
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