张瑞英
- 作品数：19 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
- 2004年
- 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
- 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰
- 关键词：宽带偏振不灵敏消光比
- 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
- 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3...
- 王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
- 文献传递
- 大带宽半导体光学放大器的理论分析
- 2002年
- 提出一种新型的半导体光学放大器结构 ,并从增益谱和能带结构等角度分析其特征 ,得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律 .通过剖析该结构中有源区各部分的作用 ,得出大的张应变的引入主要是用于提高 TM模的材料增益 ,获得偏振不灵敏和大的 TE模带宽 ,减小制备难度 .厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量 ,获得大的偏振不灵敏模式增益 .
- 张瑞英董杰张靖冯志伟王圩
- 关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏3DB带宽SOA增益谱
- 偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法
- 一种偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法，包括如下步骤：1)利用等离子体化学气相沉积技术在铟磷衬底上生长介质膜；2)利用普通的光刻腐蚀技术刻出半导体光学放大器所需的掩膜图形；3)采用窄条宽选择生长金属有机化学气相沉积技术...
- 张瑞英董杰王圩
- 文献传递
- 偏振可控光电子器件的制备方法
- 本发明一种新型偏振可控光电子器件的制备方法,是利用波长为1.3μm－1.63μm的铟镓砷(磷)/铟磷材料,同时引进不同厚度的张应变、压应变或晶格匹配层,随意改变各应变层的位置,从而获得对TE模和TM模具有相同放大增益效果...
- 董杰张瑞英王圩
- 文献传递
- 渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量：1
- 2002年
- 采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0～ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18～ 3 9mW .
- 张瑞英董杰冯志伟周帆王鲁峰王圩
- 关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏SOA
- 连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成
- 一种连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成方法，包括如下步骤：利用金属有机气相化学沉积技术在铟磷衬底上生长铟磷缓冲层、铟镓砷磷下波导限制层、铟磷隔离层、有源区结构、薄层铟镓砷磷上限制层和铟磷保护层；光刻腐蚀出模斑转...
- 张瑞英王圩董杰
- 文献传递
- 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
- 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为1μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3...
- 王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
- 文献传递
- 半导体光学放大器的研制和窄条宽选区-MOVPE技术的开发
- 半导体光学放大器是下一代全光网中的核心多功能信号处理部件.因此,以减小偏振相关损耗,降低操作电流、提高饱和输出功率、扩大带宽、降低噪声指数和提高效率等性能改善为目标的半导体光学放大器的研制成为光电子器件研发的热点.该论文...
- 张瑞英
- 关键词：半导体光学放大器光电子器件
- 偏振可控光电子器件的制备方法
- 本发明是一种偏振可控光电子器件的制备方法，包括如下步骤：在n型铟磷衬底上一次性外延生长n型铟磷缓冲层、宽能带的铟镓砷磷光限制层、应变渐变的有源层、宽能带的铟镓砷磷光限制层以及铟镓砷层；长二氧化硅层；光刻腐蚀出条形有源层，...
- 董杰张瑞英王圩
- 文献传递
