王书荣
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
- 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为1μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3...
- 王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
- 文献传递
- 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
- 2004年
- 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
- 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰
- 关键词：宽带偏振不灵敏消光比
- 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法
- 一种偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法，其特征在于，包括以下制作步骤：1)在n型磷化铟衬底上一次外延压应变量子阱和张应变的准体材料相混合的有源结构；2)光刻腐蚀出宽为2μm左右的与〔011〕晶向有7度偏移的有源区斜条；3...
- 王书荣王圩刘志宏张瑞英朱洪亮王鲁蜂
- 文献传递
- 宽带偏振不灵敏InGaAs光放大器及其模斑转换器集成
- 半导体光放大器(SOA)将是未来全光网络中重要组件.相对于光纤放大器而言,它拥有体积小、功耗小、低成本和易于与其它光电子器件集成等优点.半导体光放大器不仅能对光信号进行直接放大,而且还能对光信号进行加工处理.该文以三元I...
- 王书荣
- 关键词：半导体光放大器偏振不灵敏模斑转换器单片集成
- 1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器(英文)
- 2004年
- 采用低金属有机汽相外延(LP MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8mW和7%;此外,激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5dB。
- 王书荣王辉王宝军朱洪亮张靖丁颖赵玲娟周帆王鲁峰王圩
- 关键词：量子阱激光器DFB边模抑制比汽相外延外微分
- 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
- 一种渐变铟镓砷材料的外延制备方法，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长一层磷化铟或砷化镓缓冲层；(2)在缓冲层上外延生长一层下波导层；(3)在下波导层上外延生长渐变铟镓砷有源层；(4)接着在渐变铟镓砷有源层上生长上不掺杂...
- 王书荣王圩朱洪亮张瑞英边静
- 文献传递
- AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器(英文)
- 2004年
- 研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的 1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器 .有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层 .这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制 .当电流通道为 5 μm宽时 ,获得了 12 9mA的阈值电流和 0 4 7W /A的斜率效率 .与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比 ,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了 31 7% ,斜率效率稍微有所提高 .低阈值和高效率的特性表明 ,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制 .这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36 1° ,而水平方向的是 2 1 6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力 .
- 刘志宏王圩王书荣赵玲娟朱洪亮周帆王鲁峰丁颖
- 关键词：脊波导边发射激光器
- 宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器被引量：1
- 2005年
- 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构，研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器．此放大器在100-250mA的工作电流范围内，获得了大于70nm的3dB光带宽；在0～250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内，偏振灵敏度小于1dB．对于1．55μm的信号光，在200mA的注入电流下获得了15．6dB的光纤到光纤的增益、小于0．7dB的偏振灵敏度和4．2dBm的饱和输出功率．
- 王书荣王圩刘志宏朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆田慧良
- 关键词：半导体光放大器偏振灵敏度增益饱和输出功率
- InGaAs薄有源区半导体光放大器集成模斑转换器
- 设计并初步研制了采用薄层 InGaAs 张应变有源区及薄限制层的半导体光放大器（SOAs）集成模斑转换器（SSC），有源区厚度仅有 43nm，介于量子阱与体材料之间，这种结构的器件，制作工艺简单，薄层有源区可以获得宽带宽...
- 丁颖王鲁峰潘教青王书荣舒惠云赵玲娟
- 关键词：半导体光放大器模斑转换器远场发散角
- 文献传递
- 高增益偏振不灵敏InGaAs/InP体材料半导体光放大器被引量：1
- 2004年
- 采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机化学气相外延(LPMOVPE)的过程中,只需调节三甲基Ga的源流量便可获得所要求的张应变量。制作的半导体光放大器在200mA的注入电流下,获得了50nm宽的3dB光带宽和小于05dB的增益抖动;重要的是,半导体光放大器能在较大的电流和波长范围里实现小于11dB的偏振灵敏度。对于155μm波长的信号光,在200mA的偏置下,其偏振灵敏度小于1dB,同时获得了大于14dB光纤到光纤的增益,3dBm的饱和输出功率和大于30dB的芯片增益。用作波长变换器,可获得较高的波长变换效率。进一步提高半导体光放大器与光纤的耦合效率,可得到性能更佳的半导体光放大器。
- 王书荣王圩朱洪亮张瑞英赵玲娟周帆田慧良
- 关键词：光电子学半导体光放大器偏振不灵敏信号增益饱和输出功率
