陆晶
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模制作70nm光刻栅图形的模拟研究
- 光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.本文对无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模进行了初步研究,采用PROLITH8.0光学光刻模拟软件,在ArF步进扫描光刻机、Qu...
- 谢常青刘明陈宝钦陈大鹏康晓辉陆晶叶甜春
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- 100nm分辨率的移相掩模技术被引量：5
- 2003年
- 介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。
- 陆晶陈宝钦刘明王云翔龙世兵李泠
- 关键词：分辨率移相掩模光刻交替式
- 100 nm分辨率交替式移相掩模设计被引量：2
- 2005年
- 讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。
- 陆晶陈宝钦刘明龙世兵李泠
