陈宝钦
- 作品数：198 被引量：261H指数：9
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 微光刻与电子束光刻技术
- 自从1958年美国德克萨斯公司试制了世界上第一块平面集成电路开始算起,在短短的五十余年中,微电子技术及微纳米技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展,创造了人间奇迹.作为微电子技术与纳米科学技术工艺基础的微光刻与电子束光刻技...
- 陈宝钦谢常青刘明赵珉吴璇牛洁斌任黎明王琴朱效立史丽娜徐秋霞
- 多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统
- 本发明公开了一种多功能离子束溅射与刻蚀及原位物性分析系统，包括：离子束溅射与刻蚀室、物性分析室、样品交换真空腔室；一溅射沉积与刻蚀工件台，设置于溅射与刻蚀室的顶部正中位置；一刻蚀离子源，设置于溅射与刻蚀室的底部正中位置；...
- 龙世兵刘明谢常青陈宝钦徐连生胡媛
- 文献传递
- 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源和漏的两个隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积...
- 龙世兵陈杰智刘明陈宝钦
- 文献传递
- 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
- 2006年
- 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.
- 徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧
- 关键词：压应力等效氧化层厚度CMOS
- 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法
- 本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现曝光亚50nm图形的方法，涉及电子束光刻技术领域。该方法包括：采用合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进行适当的修正；消除场拼接对图...
- 刘明王云翔陈宝钦徐秋霞
- 文献传递
- 电子束曝光中的邻近效应修正技术被引量：11
- 2000年
- 邻近效应是指电子在抗蚀剂和基片中的散射引起图形的改变 ,它严重地影响了图形的分辨率。有多种方法对邻近效应进行修正如剂量调整、图形调整等。我们以JBX 5 0 0 0LS为手段 ,用三种方法 :1图形尺寸修正 ,2大小图形分类和剂量分配 ,3图形分层和大小电流混合曝光 ,对邻近效应进行了修正 ,均取得较好效果。
- 刘明陈宝钦张建宏李友
- 关键词：电子束曝光集成电路
- 一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法
- 本发明是用一种负性化学放大抗蚀剂(其具体代号为SAL601)实现曝光50nm图形的方法，涉及电子束光刻技术领域。该方法包括：采用合适的前后烘温度；优化的曝光条件；合适的曝光剂量；对设计图形进行适当的修正；消除场拼接对图形...
- 刘明王云翔陈宝钦徐秋霞
- 文献传递
- 制造纳米器件的方法
- 一种制造纳米器件的方法，其特征在于，包括：制备电子束和光学曝光机的套刻检测标记掩膜版；基片涂PMMA抗蚀剂；前烘；电子束曝光；显影MIBK∶IPA＝1∶3，时间为1分钟，再在IPA溶液中定影30秒；蒸发或溅射金属；在丙酮...
- 刘明陈宝钦徐秋霞郑英葵
- 文献传递
- 微光刻技术
- 介绍了作为微电子技术工艺基础的微光刻技术,它是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术,加工尺寸已进入深亚微米、百纳米以至纳米级,广泛地应用于微电子、微光学和微机械等微系统工程的微细加工技术.包括不断冲破人们预测理论分辨...
- 陈宝钦刘明任黎明胡勇金勇陈勇
- 关键词：微光刻技术微电子技术分辨率
- 文献传递
- 微纳光刻技术的现状与发展
- 四十年前后五十载结缘七十季春秋学工-做过一种最髒工作的经历学农-做过一种最苦工作的经历 学兵-做过一种最累工作的经历干了一辈子()有意思的工作;微电子激光()、微纳米加工从微米到纳米、从光学到电子束、从指导学生到科普教育...
- 陈宝钦
