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何雯瑾

作品数:29 被引量:31H指数:4
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金云南省教育厅科学研究基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学文化科学更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 9篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 22篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 19篇探测器
  • 14篇红外
  • 10篇红外探测
  • 10篇红外探测器
  • 6篇焦平面
  • 6篇非制冷
  • 5篇碲镉汞
  • 4篇探测器芯片
  • 4篇晶格
  • 4篇晶态
  • 4篇光电
  • 4篇非晶
  • 4篇超晶格
  • 3篇退火
  • 3篇热释电
  • 3篇热退火
  • 3篇碲镉汞薄膜
  • 3篇微桥结构
  • 3篇晶片
  • 3篇非晶态

机构

  • 28篇昆明物理研究...
  • 3篇云南大学
  • 3篇中国科学院
  • 1篇昆明市中小企...

作者

  • 29篇何雯瑾
  • 14篇史衍丽
  • 14篇袁俊
  • 11篇邓功荣
  • 9篇余连杰
  • 8篇太云见
  • 5篇杨丽丽
  • 5篇李雄军
  • 5篇莫镜辉
  • 5篇龚晓霞
  • 4篇冯江敏
  • 3篇信思树
  • 3篇王忆锋
  • 3篇姬荣斌
  • 3篇黄江平
  • 2篇康蓉
  • 2篇李凡
  • 2篇黄晖
  • 2篇李玉英
  • 2篇王羽

传媒

  • 7篇红外技术
  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇理化检验(化...
  • 1篇红外
  • 1篇激光与红外
  • 1篇第10届全国...
  • 1篇战略性新兴产...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 10篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2006
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器
耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器,其特征在于在热释电晶片的下表面上制备一层全反射电极,在全反射电极的下表面上制备一层绝热层,绝热层的下表面与衬底用粘接胶粘接;在热释电晶片的上表面的中心位置制备红外吸收层,从红外吸...
太云见袁俊信思树龚晓霞何雯瑾
文献传递
热释电非制冷红外焦平面探测器热绝缘结构被引量:4
2011年
热释电非制冷红外探测器由于具有可靠性高、成本低、无需制冷等优点,使其得到了广泛应用。在热释电探测器中,热绝缘结构具有红外热转换、机械支撑和热隔离等作用。良好的热绝缘结构是减小探测器热导率和改善其性能的关键。采用半导体光刻技术和牺牲层技术,在硅基底上制备了由牺牲层和Si3N4薄膜组成的微桥结构,该方法使探测器的微桥结构的制备与半导体工艺相兼容,并通过优化工艺参数,提高了微桥结构的机械强度,减小了热导,解决了制备热绝缘结构的关键技术,制备了像元中心距为50μm、填充因子为40%~60%、耐受温度≥500℃的320×240微桥列阵,该结构为制备高性能非制冷焦平面探测器奠定了基础。
何雯瑾太云见李玉英袁俊史衍丽
关键词:非制冷探测器热释电
非制冷焦平面探测器牺牲层制备工艺研究被引量:5
2006年
研究了牺牲层制备的工艺过程。通过对牺牲层材料选择、牺牲层图形化及牺牲层固化等工艺技术的研究,获得了图形质量较好的牺牲层样品。建立了优化的牺牲层制备工艺制度,为探测器的后续研究奠定了基础。
何雯瑾杨培志太云见杨春丽袁俊杨宇
关键词:微桥结构图形化
基于目标/系统特征设计雪崩光电二极管增益
2011年
以即时全球打击(prompt global strike,PGS)武器的早期预警为应用背景,介绍了理想条件下从PGS投射到探测器上光子数的估算方法。给出了基于探测器量子效率的光生电荷数的计算方法。讨论了PGS辐射特征和运动特征、光生电荷数以及可检测电流阈值对于APD增益设计的影响。
王忆锋余连杰陈洁何雯瑾
关键词:单光子探测器雪崩光电二极管增益
新型Sb基二类超晶格红外探测器
InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料因为特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合...
史衍丽何雯瑾张卫锋胡锐邓功荣徐应强牛智川
关键词:红外探测器
文献传递
退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响
利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态HgCdTe薄膜。对原生非晶态HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80K-300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的非晶态HgCdTe薄膜样品的...
余连杰史衍丽李雄军杨丽丽邓功荣何雯瑾莫镜辉
关键词:非晶态半导体
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路,铝电极,下电极,光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极,铝电极上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极,下电极通过铝电极与读出电路连接,在读出电路、铝电极以及下...
史衍丽姬荣斌李凡何雯瑾邓功荣杨瑞宇康蓉彭曼泽
文献传递
非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器及其制造方法
非晶态碲镉汞/晶态硅异质结红外探测器,其特征在于由晶态硅基底、非晶态碲镉汞、金属第一电极和金属第二电极组成,其中,非晶态碲镉汞与晶态硅基底构成异质结,金属第一电极与非晶态碲镉汞连接,金属第二电极与晶态硅基底连接。其制备工...
史衍丽余连杰何雯瑾邓功荣李雄军杨丽丽姬荣斌
文献传递
单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极用于线性伏安法测定辛硫磷被引量:1
2012年
将单壁碳纳米管(SWCNTs)悬浊液和纳米金(nano Au)溶液混匀后滴涂在玻碳电极表面,自然干燥后再将离子液体BMIMPF6的甲醇溶液滴涂在上述电极上,制得单壁碳纳米管-纳米金-离子液体修饰玻碳电极(SWCNTs-nano Au-BMIMPF6/GCE)。用循环伏安方法研究了辛硫磷在pH 4.0的磷酸盐支持电解质中,在电位-1.1~-0.1V(vs.SCE)范围内,在修饰电极上的电化学行为。结果表明:在电位-0.81V处可见明显的还原峰,且其峰电流与辛硫磷的浓度在6.0×10-7~1.2×10-3 mmol.L-1范围内呈线性关系,检出限(3S/N)为3.0×10-7 mmol.L-1。据此提出了用线性伏安法测定辛硫磷的方法,用标准加入法测得其回收率在96.0%~105.5%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在3.3%~3.9%之间。
刘拥军王光灿师真易汉希何雯瑾彭芳芝
关键词:辛硫磷离子液体单壁碳纳米管纳米金
光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器
本实用新型涉及一种光伏型InAsSb长波红外探测器材料及红外探测器,属于红外探测器技术领域。所述材料结构为InAs衬底、n型InAsSb层和p型InAsSb层构成的pn结构,结构简单,制备难度低,n型InAsSb层厚度大...
李德香何雯瑾邓功荣陈冬琼吴宇杨玲种苏然宋欣波龚晓霞袁俊黄晖
共3页<123>
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