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曾畅

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇腔面
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓基激光...
  • 1篇电极
  • 1篇电极研究
  • 1篇钝化
  • 1篇增益
  • 1篇增益饱和
  • 1篇制作方法
  • 1篇受主
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇腔长
  • 1篇热沉

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇曾畅
  • 5篇杨辉
  • 5篇张书明
  • 4篇刘建平
  • 4篇王怀兵
  • 4篇李增成
  • 4篇冯美鑫
  • 4篇王辉
  • 1篇王海
  • 1篇王怀兵
  • 1篇王峰
  • 1篇王辉

传媒

  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 2篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
氮化镓基激光器的研究进展
利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压分别为78mA(2.4KA/cm2)...
张书明曾畅季连王怀兵赵德刚朱建军刘宗顺江德生杨辉
关键词：氮化镓基激光器波导结构
Ti/Pt/Au-n-GaN欧姆接触电极研究
本文研究了Ti/Pt／Au多层金属结构与n-GaN的电学接触热稳定特性。将样品在氮气保护下选择不同温度快速热退火10分钟，并运用圆形传输线模犁表征了其比接触电阻率。结果表明：在低于480℃的温度下退火后，其特性仍为良好的...
曾畅王海史永生杨辉张书明朱建军赵德刚江德生刘宗顺王辉种明段俐宏
关键词：欧姆接触热稳定N-GAN互扩散
文献传递
F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器...
冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
文献传递
半导体激光器的制作方法
本发明涉及半导体激光器技术，尤其是一种半导体激光器的制作方法。其步骤包括：在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；通过光刻技术，在激光器的前后腔面附近注入离子；然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；接着在激光器...
冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
文献传递
氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低...
曾畅张书明刘建平王辉冯美鑫李增成王怀兵杨辉
InGaN基超辐射二极管
我们制作了InGaN基超辐射二极管,其一边为斜腔面,超辐射波长445.3nm,光谱的半高宽7.7nm;并比较了相同腔长(800um)的超辐射二极管和激光器的特性,如图1所示为不同电流下超辐射二极管和激光器的光谱,图2为超...
曾畅王峰王怀兵王辉杨辉冯美鑫张书明刘建平李德尧张立群江德生李增成周坤
关键词：INGAN增益饱和腔长
文献传递
半导体激光器TO封装结构及方法
本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体...
冯美鑫张书明王辉刘建平曾畅李增成王怀兵杨辉
文献传递
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