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朱樟震

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇光刻
  • 2篇X射线光刻
  • 1篇掩模
  • 1篇射线
  • 1篇光刻胶
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线掩模

机构

  • 3篇中国科学院
  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇孙宝银
  • 3篇朱樟震
  • 3篇陈梦真
  • 2篇谢常青
  • 1篇张菊芳
  • 1篇伊福廷
  • 1篇赵玲莉
  • 1篇韩敬东

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇科学通报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1995
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
1995年
阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上，采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30～40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
孙宝银陈梦真朱樟震伊福廷
关键词：X射线
同步辐射x射线光刻实验研究被引量：1
1997年
采用侧墙工艺技术研制深亚微米ｘ射线掩模，并在北京同步辐射装置光刻束线上进行了同步辐射ｘ射线曝光实验。
谢常青陈梦真赵玲莉孙宝银韩敬东朱樟震张菊芳
关键词：X射线光刻X射线掩模
同步辐射X射线光刻中光刻胶显影速率模型研究被引量：2
1995年
同步辐射X射线光刻自从被提出来以后,就日益引起了许多人的注意.它具有许多优点,比如高分辨率、大的工艺宽容度、高产量等,被普遍认为是一种很好的可应用于0.25μm以下的光刻技术.鉴于同步辐射X射线光刻技术在未来的光刻技术中所占的重要地位,我国光刻技术研究者于1990年在北京同步辐射装置(BSRF)3BIA束线上筹建了我国首座同步辐射X射线光刻站,并于1990年6月成功地进行了我国首次同步辐射X射线光刻实验.在同步辐射X射线光刻实验中,准确地选择曝光时间和曝光束流的乘积是很重要的(该乘积以下用XK来表示),因为它会直接影响到光刻胶的显影速率,从而影响到以下图形转换的质量.
谢常青陈梦真王玉玲孙宝银周生辉朱樟震
关键词：X射线光刻光刻胶光刻
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