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李俊伍

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省“青蓝工程”资助基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇倒装焊
  • 1篇四甲基
  • 1篇四甲基氢氧化...
  • 1篇凸点
  • 1篇氢氧化
  • 1篇氢氧化铵
  • 1篇甲基
  • 1篇硅
  • 1篇铟
  • 1篇AU
  • 1篇MEMS器件

机构

  • 3篇东南大学

作者

  • 3篇李俊伍
  • 2篇秦明
  • 1篇陈明园
  • 1篇黄见秋
  • 1篇孙萍
  • 1篇顾慧

传媒

  • 2篇电子器件

年份

  • 3篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种用于MEMS器件的Au-In倒装焊技术被引量：2
2010年
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa。
陈明园孙萍李俊伍秦明
关键词：倒装焊
基于TMAH溶液的PN结自停止腐蚀的研究
2010年
MEMS器件的性能与尺寸密切相关。介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法——基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀。这种方法几乎不刻蚀铝,从而与CMOS工艺良好地兼容。应用这种办法正面腐蚀,成功释放结构,尺寸与设计比较符合,证明了这种方法的可行性及易操作性。
李俊伍顾慧黄见秋秦明
关键词：四甲基氢氧化铵
CMOS后处理中体硅正面释放及保护技术的研究
单片集成是传感器发展的未来趋势，它将MEMS器件和接口电路、处理电路集成在一块芯片上。CMOS后处理工艺释放制作的微型传感器能够实现低成本、高性能、高度一致性和大规模生产，这也是MEMS传感器相对于传统传感器的显著优势。...
李俊伍
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