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陈明园

作品数：5 被引量：4H指数：2
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省“青蓝工程”资助基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 3篇键合
  • 3篇铟
  • 2篇倒装焊
  • 2篇低温键合
  • 2篇凸点
  • 2篇芯片
  • 2篇剪切强度
  • 2篇键合技术
  • 2篇MEMS器件
  • 1篇总线
  • 1篇总线架构
  • 1篇芯片封装
  • 1篇架构
  • 1篇功能模块
  • 1篇封装
  • 1篇SOC设计
  • 1篇SOC芯片
  • 1篇AU
  • 1篇AXI
  • 1篇CMOS

机构

  • 5篇东南大学

作者

  • 5篇陈明园
  • 3篇秦明
  • 2篇李俊武
  • 1篇李俊伍
  • 1篇孙萍

传媒

  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇电子器件
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
  • 2篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种用于MEMS器件的Au-In倒装焊技术被引量：2
2010年
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300℃下成功的进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa。
陈明园孙萍李俊伍秦明
关键词：倒装焊
MEMS低温互连键合技术研究
CMOS MEMS是传感器发展的一大趋势，利用CMOS标准流程+MEMS后处理工艺制造的微型传感器能够实现低成本、高性能、高度一致性和大规模生产。硅片键合技术，尤其是低温键合技术在CMOS MEMS加工中有着重要地位。硅...
陈明园
关键词：剪切强度
文献传递
一种基于Au-In共晶的低温键合技术
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300 ℃下成功地进行了Au-In...
陈明园秦明李俊武
关键词：MEMS器件芯片封装低温键合剪切强度
文献传递
一种基于Au-In共晶的低温键合技术被引量：2
2009年
介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150～300℃下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3 MPa压力下键合的剪切强度达到了5 MPa.
陈明园秦明李俊武
关键词：倒装焊
SoC设计中高性能总线架构的研究与实现
随着半导体技术的发展和消费电子产品功能的完善，SoC产品的设计规模越来越大，功能也越来越复杂。为了实现这些设计指标，设计者对产品的性能也提出了更高的要求。SoC的性能主要取决于微处理器的性能，却主要受制于芯片系统架构的性...
陈明园
关键词：SOC芯片功能模块
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