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文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇碳化硅
  • 1篇线切割
  • 1篇粒径
  • 1篇粒径分布
  • 1篇磨料
  • 1篇晶片
  • 1篇晶向
  • 1篇硅片
  • 1篇GAAS单晶
  • 1篇超声波清洗

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇杨春明
  • 1篇史继祥
  • 1篇王聪
  • 1篇杨洪星
  • 1篇佟丽英
  • 1篇王春梅

传媒

  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇天津科技
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
碳化硅粒径分布对单晶硅线切割的影响被引量:2
2016年
利用激光粒度仪和扫描电镜对切割前后碳化硅粒径的变化及切割后硅片的形貌进行表征,研究不同粒度分布的碳化硅磨料对线切割硅片表面损伤的影响。实验结果指出粒度分布不均引起的局部切割堵塞而导致的垂直于切割方向的左右侧滑振动,是导致表面损伤的主要原因,并且当碳化硅的粒度分布窄时,线切割硅片表面损伤层浅、表面粗糙度小。
杨春明
关键词:磨料碳化硅粒径分布线切割
多线切割硅片线痕问题研究被引量:2
2015年
线痕是多线切割领域比较常见的问题之一,分类总结了各种线痕产生的原因,并提出了相应的解决方法。
杨春明
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量:1
2008年
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
佟丽英杨春明王春梅史继祥王聪
关键词:砷化镓单晶
晶片去蜡技术综述被引量:2
2008年
随着晶片直径向大尺寸发展,有蜡抛光方式成为晶片抛光的一项主流技术,从而需要引入晶片去蜡技术。对晶片去蜡工艺中一些常用的技术,如有机溶液浸泡法、有机溶剂超声清洗法以及专用试剂超声清洗法进行了介绍,结合一些设备生产厂家的设备实例,对晶片去蜡技术的发展趋势作了简要论述。
杨春明杨洪星
关键词:晶片超声波清洗
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