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王春梅

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇硼
  • 1篇单晶
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓单晶
  • 1篇硼扩散
  • 1篇晶向
  • 1篇扩散
  • 1篇硅片
  • 1篇GAAS单晶

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇史继祥
  • 3篇王聪
  • 3篇佟丽英
  • 3篇王春梅
  • 1篇杨春明

传媒

  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硼扩散技术研究被引量：1
2011年
对硼扩散浓度和扩散深度的控制技术进行了研究。通过采用两步扩散步骤、预扩散采用双面扩散的方式、再分布采用密闭碳化硅管、控制扩散温度和扩散时间,有效地控制了扩散层浓度和结深。
王春梅佟丽英史继祥王聪
关键词：硼
硼扩散片弯曲度的控制技术研究
2010年
对硼扩散片弯曲度的控制技术进行了研究。结果发现单面扩散后硅片的弯曲度比双面扩散的弯曲度大,晶锭加工之前的热处理工艺有助于弯曲度的改善。在单面减薄后对硅片进行碱处理工艺,进一步改善了扩散片的弯曲度。通过对硅单晶进行热处理、以及对硅扩散片进行碱处理等一系列措施,使扩散片的弯曲度有了较大幅度的改善。
王春梅佟丽英史继祥王聪
关键词：硼扩散硅片
〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定被引量：1
2008年
在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
佟丽英杨春明王春梅史继祥王聪
关键词：砷化镓单晶
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