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郑睿

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学信息科学技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇英文
  • 1篇双栅
  • 1篇双栅MOSF...
  • 1篇器件物理
  • 1篇非掺杂
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇何进
  • 1篇张立宁
  • 1篇郑睿
  • 1篇傅越
  • 1篇张兴
  • 1篇张健

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型(英文)
2008年
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到.结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数.对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.
何进张立宁张健傅越郑睿张兴
关键词：双栅MOSFET器件物理
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共1页<1>
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