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傅越
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北京大学信息科学技术学院
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相关领域:
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合作作者
张健
北京大学信息科学技术学院
张兴
北京大学深圳研究生院
郑睿
北京大学信息科学技术学院
张立宁
北京大学信息科学技术学院
何进
北京大学深圳研究生院
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非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型(英文)
2008年
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到.结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数.对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.
何进
张立宁
张健
傅越
郑睿
张兴
关键词:
双栅MOSFET
器件物理
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