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于鸿艳

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇生长温度
  • 2篇势垒
  • 2篇外延层
  • 2篇硅衬底
  • 2篇SI基
  • 2篇衬底
  • 1篇生长速率
  • 1篇势垒层
  • 1篇隔离层

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇周旭亮
  • 2篇李士颜
  • 2篇于鸿艳
  • 2篇潘教青
  • 2篇米俊萍
  • 2篇李梦珂

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；步骤S2：刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层，以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
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在Si基上制备InP基HEMT的方法
本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO<Sub>2</Sub>层；步骤S2：刻蚀所述SiO<Sub>2</Sub>层，以在该SiO<Sub>2</Sub>层上形成多个沟槽...
李士颜周旭亮于鸿艳李梦珂米俊萍潘教青
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