白钰
- 作品数：8 被引量：21H指数：3
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 高色饱和度的微腔结构蓝色顶发射有机发光器件的光谱分析被引量：1
- 2007年
- 制作了具有微腔结构的蓝色有机顶发射电致发光器件。利用TBADN∶3%DSAPh为发光材料,结构为Ag/ITO/CuPc/NPB/TBADN∶3%DSAPh/Alq3/LiF/Al(Ag)。在玻璃基片上,制备Ag为阳极反射层,CuPc作为空穴注入层,NPB作为空穴传输层,ITO为光程调节层;Al/Ag作为半透明阴极,电极的透射率在30%左右。得到了半高宽仅为17 nm发光光谱,实现了窄带发射。通过改变ITO的厚度,得到了纯度较高的蓝色发光光谱,色坐标为(0.141,0.049),实现了高色饱和度的发射。在文章中,作者研究了微腔器件的发光强度,当选择合适的阴极透射率时可以使发光强度达到最大。根据相关的公式,计算出了发光强度随阴极透射率(或者反射率)变化的近似曲线。
- 刘向白钰曹进委福祥张晓波朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：微腔结构
- 绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响被引量：3
- 2007年
- 制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V.s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件.
- 陈玲朱文清白钰刘向蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管栅绝缘层场效应迁移率
- 具有双绝缘层的有机薄膜晶体管被引量：3
- 2008年
- 为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA。实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流。计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104。
- 刘向白钰陈玲朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管迁移率PMMA
- 基于Alq_3及蒽类衍生物的微腔顶发射有机发光器件被引量：4
- 2007年
- 制做了具有微腔结构的绿色和蓝色有机顶发射电致发光器件。利用Alq3和TBADN:3%DSAPh材料为发光层,Ag为阳极反射层,ITO为腔长调节层,Al/Ag为半透明阴极,电极的透射率在30%左右。通过改变ITO层的厚度,Alq3器件得到了不同颜色的发光光谱,实现了对光谱的调节作用;TBADN:3%DSAPh器件获得了纯度较高的蓝色发光光谱,色坐标为(0.141,0.049),半高宽为17nm发光光谱,实现了窄带发射。文章对微腔顶发射器件的发射强度和发光光谱半高宽的结果进行了分析。
- 刘向白钰曹进委福祥张晓波朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：微腔
- 利用缓变结提高蓝色有机发光二极管的寿命被引量：8
- 2007年
- 在空穴传输层(HTL)和发光层(EML)界面加入缓变结的蓝色有机电致发光器件(Cell-GJ)。与传统的异质结结构的有机电致发光器件(Cell-HJ)相比,寿命有了明显的提高:半寿命在初始亮度为100 cd/m2的条件下达到了8460 h,比Cell-HJ的半寿命长6倍。寿命的延长归功于穿过非突变界面的局部电场的消除,减少了焦耳热的产生从而提高了器件的寿命。但是实验证实Cell-GJ的效率比Cell-HJ的效率低。为了提高Cell-GJ的效率在其TBADN/AlQ交界处蒸镀GaQ薄层制得一种新型器件Cell-GJGaQ。由于GaQ的最低未占有轨道能级介于AlQ和TBADN之间,从AlQ到GaQ再到TBADN形成的多阶势垒可以极大地提高电子(少子)注入,从而使发光效率也有了明显改善。研究结果表明Cell-GJGaQ的效率比Cell-GJ的效率高20%,半寿命同时也达到了6998 h,比Cell-HJ长5倍,整体性能有了较大提高。
- 刘善鹏白钰刘向朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：光学器件
- 二氧化硅栅绝缘层的制备与表面修饰被引量：2
- 2007年
- 研究了有机薄膜晶体管的二氧化硅栅绝缘层的性质。二氧化硅绝缘层的制备采用热生长法,氧化气氛是O2(g)+H2O(g),工艺为干氧-湿氧-干氧的氧化过程。制得的绝缘层漏电流在10-9 A左右。以该二氧化硅作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,并五苯作为有源层制作了有机薄膜晶体管器件。实验表明采用十八烷基三氯硅烷(OTS)进行表面修饰的器件具有OTS/SiO2双绝缘层结构,可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度。修饰后器件的场效应迁移率提高了1.5倍、漏电流从10-9 A降到10-10 A、阈值电压降低了5 V、开关电流比从104增加到105。结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能。
- 白钰刘向陈玲朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：二氧化硅绝缘层OTS修饰
- 具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管被引量：3
- 2008年
- 研究了有机薄膜晶体管器件。器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的。实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能。器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104。同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构。实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids。结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能。
- 白钰刘向陈玲朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管双绝缘层双层电极迁移率
- 具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管(英文)
- 2008年
- 研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了器件的场效应迁移率和开关电流比,降低了阈值电压.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.
- 白钰哈克鲁富翰蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管修饰电极双绝缘层迁移率
