陈玲
- 作品数：5 被引量：12H指数：3
- 供职机构：上海大学通信与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 绝缘层/有源层界面修饰及对有机薄膜晶体管性能的影响被引量：3
- 2007年
- 制备了具有修饰层的有机薄膜场效应晶体管,采用高掺杂Si作为栅极,传统的无机绝缘材料SiO2作为栅绝缘层,有机绝缘材料PMMA或OTS作为修饰层,CuPc作为有源层,Au作为源、漏极.测试结果表明,采用经过修饰的栅绝缘层SiO2/OTS和SiO2/PMMA的两种器件的开关电流比最高可达8×104,迁移率最高为1.22×10-3cm2/(V.s),而漏电流仅为10-10A,总体性能优于单层SiO2器件.
- 陈玲朱文清白钰刘向蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管栅绝缘层场效应迁移率
- 图Laplacian半监督特征加权用于高光谱波段选择被引量：3
- 2011年
- 提出一种利用图Laplacian实现半监督波段选择的方法.该方法首先将标记样本类别信息引入图Laplacian,接着通过广义特征值求解确定投影变换矩阵,最后采用载荷因子对变换矩阵进行系数分析,对波段重要性赋以权值并排序.实验比较了多种波段选择算法,结果表明算法能更好地利用标记样本的类别信息和大量非标记样本中的局部结构信息,性能优于多种波段选择方法.
- 黄睿陈玲
- 关键词：波段选择
- 二氧化硅栅绝缘层的制备与表面修饰被引量：2
- 2007年
- 研究了有机薄膜晶体管的二氧化硅栅绝缘层的性质。二氧化硅绝缘层的制备采用热生长法,氧化气氛是O2(g)+H2O(g),工艺为干氧-湿氧-干氧的氧化过程。制得的绝缘层漏电流在10-9 A左右。以该二氧化硅作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,并五苯作为有源层制作了有机薄膜晶体管器件。实验表明采用十八烷基三氯硅烷(OTS)进行表面修饰的器件具有OTS/SiO2双绝缘层结构,可以有效地降低SiO2栅绝缘层的表面能并改善表面的平整度。修饰后器件的场效应迁移率提高了1.5倍、漏电流从10-9 A降到10-10 A、阈值电压降低了5 V、开关电流比从104增加到105。结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的器件结构能有效改进有机薄膜晶体管的性能。
- 白钰刘向陈玲朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：二氧化硅绝缘层OTS修饰
- 具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管被引量：3
- 2008年
- 研究了有机薄膜晶体管器件。器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的。实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能。器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104。同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构。实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids。结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能。
- 白钰刘向陈玲朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管双绝缘层双层电极迁移率
- 具有双绝缘层的有机薄膜晶体管被引量：3
- 2008年
- 为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA。实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流。计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104。
- 刘向白钰陈玲朱文清蒋雪茵张志林
- 关键词：有机薄膜晶体管迁移率PMMA
