詹华瀚
- 作品数：18 被引量：7H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生电气工程更多>>
- Ⅱ-Ⅵ比对分子束外延生长的ZnO/ZnMgO超晶格的相结构调控被引量：1
- 2014年
- 在Zn1-xMgxO中,x=0.4 ～0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构,影响了其晶格质量.本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上外延生长了ZnO/ZnMgO超晶格,并改变其生长过程中的Ⅱ-Ⅵ比,利用原子力显微镜、X射线衍射、透射谱和X射线光电子能谱对样品进行了表征分析.发现在较低氧分压下制备的样品结构以岩盐矿为主导,而在较高氧分压下两相共存并以纤锌矿为主.这种相分离现象与裂解氧原子的密度有关.
- 王浩詹华瀚陈晓航周颖慧王惠琼康俊勇
- 关键词：MGZNOZNO超晶格
- Laplace缺陷谱方法研究被引量：1
- 1997年
- 本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Laplace逆变换处理来实现多指数瞬态的分解．结果表明，此方法具有较高的分辨率，而且存储和计算量较小，适用于进行常规的深能级瞬态精细结构测量．
- 詹华瀚康俊勇黄启圣
- 关键词：深能级
- 用共轭梯度法分解多指数瞬态
- 1997年
- 采用共轭梯度法处理半导体深能级研究中遇到的多指数瞬态分解问题，数值计算表明这种方法具有较高的分辨率，可应用于多指数函数分解和电子发射过程的精细结构研究．
- 詹华瀚康俊勇黄启圣
- 关键词：共轭梯度法半导体
- 不同单体在ZnO(0001)-Zn极性面上生长的机制
- ZnO作为第三代的宽禁带化合物半导体,其禁带宽度约为3.37eV,恰好对应紫外光激发区域。与GaN相比,ZnO具有更高的激子束缚能和更良好的热稳定性,因此ZnO在短波长光电器件,如紫外探测器、发光二极管和半导体激光器以及...
- 江保锋陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼李书平康俊勇
- ZnO/MgO(011)的异质外延与特性
- 2013年
- 本文着重研究ZnO薄膜在MgO(011)衬底上的生长行为。利用分子束外延法(MBE)在MgO(110)衬底上生长ZnO薄膜,通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征了其表面形貌,利用X射线光电子能谱学(XPS)对薄膜的组分进行深度分层剥析,并采用透射谱(XL)研究了其光学性质。结果显示,薄膜以三维模式生长,而且薄膜表面平整度受到衬底温度的影响;而所生长的薄膜均显示了ZnO透射谱的特征峰,特征峰的位置几乎不受衬底温度的影响。不同生长时间段的薄膜结构的演变过程也通过原位的反射高能电子衍射(RHEED)和原子力显微镜进行了考察。XPS分层组分分析发现,在ZnO薄膜生长过程中,Zn离子会扩散到MgO(110)衬底之中。
- 耿伟王惠琼周华杜达敏杨闻操陈嘉琪陈晓航詹华瀚康俊勇
- 关键词：氧化镁氧化锌AFMSEMXPS
- 用分子束外延法生长的立方相Zn<sub>x</sub>Mg<sub>1-x</sub>O薄膜的性质研究
- 2015年
- 通过分子束外延(MBE)的技术, 在富镁条件下于立方结构的MgO(100)衬底上外延生长立方相的ZnxMg1?xO薄膜。用反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)的方法研究了薄膜的晶体结构,结果表明,薄膜结构为四方相。用硬X射线吸收谱(XAS)的方法研究薄膜的电子结构,用透射谱的方法研究了薄膜的带隙结构;研究表明,ZnxMg1?xO薄膜中x的值约为0.58。
- 王小丹周华耿伟康煜堃陈晓航王惠琼周颖慧詹华瀚康俊勇
- Ag/Si二维晶格的生长控制和结构研究
- Ag/Si体系作为一种重要的金属/半导体界面体系,一直受到科学工作者的关注.近年来,石墨烯、硅烯等二维材料因其新奇优异的物理特性和巨大的应用前景,引起了人们极大的研究兴趣.最近的实验研究发现,银表面是目前已知的制备硅烯的...
- 胡蔚周颖慧陈晓航詹华瀚王惠琼康俊勇
- 关键词：半导体器件分子束外延生长
- 文献传递
- 半导体光电结构材料及其应用被引量：1
- 2011年
- 半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.
- 李书平李成陈松岩方志来张保平吴正云吴志明詹华瀚陈朝余金中王启明康俊勇
- 关键词：GANSILED探测器太阳能电池
- 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
- 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光...
- 康俊勇李孔翌蔡端俊杨旭李书平詹华瀚李恒陈晓航
- 文献传递
- 低温ZnO/Si(100)薄膜的制备及其特性分析
- 氧化锌(ZnO)在发光二极管、脉冲二极管和太阳能电池等光电器件方面有很广泛的应用前景.尽管已有许多研究在蓝宝石上长出高质量的ZnO[1],但从光电集成的前景及其工业化应用的角度看,由于硅(Si)集成电路的技术最为成熟,在...
- 金昌连王朋吴雪峰詹华瀚康俊勇
- 关键词：表面再构缓冲层分子束外延生长
