周颖慧
- 作品数：22 被引量：33H指数：3
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 新型热驱动半导体制冷器性能的优化分析被引量：7
- 2003年
- 提出一种新型的热驱动半导体制冷器模型 ,以制冷系数和制冷率为目标函数分析其性能特性。计算在不同情况下热驱动半导体制冷器的最大制冷系数和制冷率。进而优化工作电流的最佳范围 ,从而确定热驱动半导体制冷器的内部结构参数。所得结果可为新型的热驱动半导体制冷器的优化设计和最佳运行提供有价值的理论指导 ,可促进热驱动半导体制冷器的开发和在不同高新科技领域中的应用。
- 陈晓航陈旭阳周颖慧
- 关键词：半导体制冷器热驱动结构参数性能指标制冷系数制冷率
- 二硫化锡薄膜的生长及掺杂研究
- 2023年
- 二硫化锡是近年来备受关注的二维半导体材料之一,因其优异的电学和光电性能以及元素储备丰富且对环境友好等优点,在电子、光电以及能源转换等领域展现出极大的应用潜力。目前,高质量薄层二硫化锡的可控制备仍是研究中备受关注的重要课题。本文采用气相外延方法探索二硫化锡薄膜的外延生长和掺杂调控,结合多种表征测试技术,研究其生长过程和结构特性,实现了材料的逐层生长。进一步地在生长过程中引入铟掺杂,由于晶格有序度的降低,二硫化锡的拉曼特征峰展宽且强度减弱,X射线光电子能谱分析发现,铟的掺入使得体系费米能级下移,实现了p型掺杂。研究结果为二硫化锡的可控生长以及掺杂提供了参考。
- 许书逸林高翔周颖慧
- 关键词：气相外延掺杂
- 不可逆狄塞尔热机输出功、效率及其参数优化被引量：3
- 2006年
- 建立不可逆狄塞尔热机循环新模型,探索不可逆绝热过程对热机循环性能的影响,应用有限时间热力学方法,导出了输出功和效率与压力比、高低温比间的解析表式,揭示了这些重要热力学参量间的变化特性.研究结果表明,随着绝热不可逆程度的增大,输出功及效率均明显减小;输出功和效率随压力比的变化在一定范围内存在极大值,而输出功随高低温比的增大而单调增大.通过数值计算,还讨论了包括热机压力比、输出功和效率等优化工作区域及其界限.所得结论可为一类内燃机的最佳运行条件和优化设计提供理论参考.
- 郑世燕夏峥嵘周颖慧林国星
- 关键词：狄塞尔循环不可逆性
- Ⅱ-Ⅵ比对分子束外延生长的ZnO/ZnMgO超晶格的相结构调控被引量：1
- 2014年
- 在Zn1-xMgxO中,x=0.4 ～0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构,影响了其晶格质量.本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上外延生长了ZnO/ZnMgO超晶格,并改变其生长过程中的Ⅱ-Ⅵ比,利用原子力显微镜、X射线衍射、透射谱和X射线光电子能谱对样品进行了表征分析.发现在较低氧分压下制备的样品结构以岩盐矿为主导,而在较高氧分压下两相共存并以纤锌矿为主.这种相分离现象与裂解氧原子的密度有关.
- 王浩詹华瀚陈晓航周颖慧王惠琼康俊勇
- 关键词：MGZNOZNO超晶格
- Si（111）-7×7表面Au微观结构及形成机制
- Si作为最重要的半导体材料,其表面结构及外延生长一直是人们关注的研究课题。鉴于Au//Si界面在电子器件和表面催化等方面的广泛应用,深入了解其微观结构和特性具有重要的意义。本论文结合超高真空扫描隧道显微镜、第一性原理计算...
- 周颖慧
- 关键词：生长动力学第一性原理计算
- 文献传递
- 二硫化钼在石墨上的成核及其异质结构研究
- 二硫化钼因其独特的层状结构和光电性能，成为继石墨烯之后备受关注的二维晶体材料。具有非零带隙的二硫化钼不仅可以在一定程度上弥补石墨烯的应用限制，而且可以和石墨烯结合形成异质结构并进行优势互补，进一步拓宽了这两种二维材料在微...
- 张培超万闻晏晓岚周颖慧蔡伟伟康俊勇
- 关键词：二硫化钼石墨分子束外延
- ZnO(0001)Zn极性面上不同单体生长动力学特性
- 2012年
- 通过第一性原理和密度泛函方法,计算了在富锌和富氧条件下形成的Zn原子、ZnO分子、Zn3O1和Zn1O3团簇等不同单体在ZnO(0001)Zn极性面上典型的纤锌矿和闪锌矿结构沉积位的系统总能及其扩散势垒和相互作用能.结果表明,Zn1O3和Zn3O1团簇以及Zn原子单体易于获得纤锌矿结构的ZnO,而ZnO分子的稳定性较弱且易于沉积于闪锌矿位;富锌条件形成的Zn3O1团簇单体或Zn原子单体,有利于在较低温度下获得均匀结构的晶体;Zn3O1团簇单体则会形成具有一定孔洞的单一相晶体,而Zn1O3单体易形成致密的晶体;以Zn原子、Zn3O1和Zn1O3团簇为单体的沉积更易于聚集,而ZnO分子则不利于成核.
- 江保锋张纯淼陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼康俊勇
- 关键词：第一性原理ZNO生长动力学
- 大尺寸二硒化锡二维晶体的生长和结构研究
- 2020年
- 二维二硒化锡是一种新兴的层状半导体材料,因其优异的光电特性和热电性能,吸引了越来越多的关注,而且在光电器件和能源存储等领域彰显出广阔的应用前景。目前,高质量薄层和大尺寸二硒化锡二维晶体的可控制备仍然存在较大挑战。本文工作中,我们采用化学气相沉积法制备二硒化锡,考察了衬底温度和载气流量等条件对生长的影响,获得了优化的生长条件和大尺寸的二硒化锡晶片,进一步结合光学显微镜、原子力显微镜以及拉曼光谱等表征手段,分析了所制备的几种典型晶片的结构特性,实验结果为高质量二硒化锡二维晶体的可控制备提供了参考。
- 郑韬林高翔周颖慧
- 关键词：化学气相沉积
- 不同单体在ZnO(0001)-Zn极性面上生长的机制
- ZnO作为第三代的宽禁带化合物半导体,其禁带宽度约为3.37eV,恰好对应紫外光激发区域。与GaN相比,ZnO具有更高的激子束缚能和更良好的热稳定性,因此ZnO在短波长光电器件,如紫外探测器、发光二极管和半导体激光器以及...
- 江保锋陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼李书平康俊勇
- 一种单层二硫化锡薄膜及其二维异质结和制备方法
- 本发明公开了一种单层二硫化锡薄膜及其二维异质结和制备方法，以硫化亚锡粉末和硫粉为原料，利用化学气相沉积法在石墨烯基底上制备生成大面积单层二硫化锡半导体薄膜，构建新型二维垂直异质结构。本发明制备的单层二硫化锡薄膜结构平整，...
- 周颖慧林高翔占林杰卢捷郑韬黄俊杰张悦蔡伟伟
- 文献传递
