钟琪
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 集成铁电电容的制备和研究被引量：1
- 1999年
- 给出了一种在ＣＭＯＳ电路基础上制备集成铁电电容的方法。
- 姚海平钟琪黄维宁姜国宝洪晓菁汤庭鳌
- 关键词：铁电薄膜存储器
- PZT系列铁电薄膜掺杂改性及FeRAM关键工艺研究
- 该论文研究了基于Sol-Gel方法的改进的锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜制备方法.对为了克服PZT中Pb容易挥发,不易控制其含量,并提高PZT薄膜的抗疲劳特性,PZT进行了掺Sr的改性实验,分析了掺Sr的量和退火温度对PSZ...
- 钟琪
- 关键词：SOL-GEL
- 文献传递
- 铁电存储单元的设计和测试被引量：2
- 1999年
- 基于被应用于实际设计之中的统一的铁电器件模型，详细讨论了２Ｔ２Ｃ组态的铁电破坏性读出存储器单元的设计。在此基础上，设计和制造了分立元件的单元测试电路。通过与普通电容的对比实验，证实了铁电破坏性读出随机读取存储器与普通随机读取存储器不同的工作原理和模式。进而获得了被测ＦＲＡＭ单元的特性波形和铁电材料存储特性的有关数据。这些工作为进一步进行大规模铁电存储器的研究作了准备。
- 洪晓菁俞承芳虞惠华汤庭鳌姚海平李宁钟琪
- 关键词：存储器铁电器件
- SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究
- 2000年
- 我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的影响.我们运用将Zr及Ti有机物溶液加入Pb的有机溶液的新的制备工艺流程以精确地控制Pb/Zr/Ti的组分,从而制备出性能良好的铁电薄膜.在大量实验的基础上,我们绘制出扩散炉和快速热退火时,钙钛矿的形成与退火温度及时间的关系图,并且得出PZT铁电薄膜最佳的退火温度和时间区域.
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝程旭姚海平钟琪
- 关键词：SOL-GELPZT钙钛矿结构
- MFIS结构的C-V特性被引量：3
- 2000年
- 研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法 ,并对其进行了 SEM、C- V特性测试及Zr O2 介质层介电常数分析 .研究了 C- V存储窗口 (Memory Window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系 ,得出 MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为 7— 1 0左右 ,在外加电压- 5V- +5V时存储窗口可达 2 .52 V左右 .
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝钟琪汤祥云
- 关键词：MFISC-V特性铁电薄膜电滞回线
- 铁电存储器制备中关键工艺的改进被引量：2
- 2000年
- 传统铁电存储器制备工艺中 ,存在着 Pt/ Ti下电极刻蚀难、制作的铁电薄膜形貌不好和上电极容易起壳等问题。文章对铁电存储器制备中的一些关键工艺进行改进 ,降低了工艺复杂性 ,解决了上述问题。
- 钟琪林殷茵汤庭鳌
- 关键词：铁电薄膜铁电存储器半导体工艺集成电路
- 用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究被引量：1
- 2000年
- 制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件。
- 颜雷黄维宁姜国宝汤庭鳌程旭钟琪姚海平汤祥云
- 关键词：铁电存储器反应离子刻蚀铁电薄膜
- SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究
- 我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的...
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝程旭姚海平钟琪
- 关键词：SOL-GELPZT钙钛矿结构铁电薄膜退火温度
- 文献传递
