姚海平
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 集成铁电电容的制备和研究被引量：1
- 1999年
- 给出了一种在ＣＭＯＳ电路基础上制备集成铁电电容的方法。
- 姚海平钟琪黄维宁姜国宝洪晓菁汤庭鳌
- 关键词：铁电薄膜存储器
- 铁电存储单元的设计和测试被引量：2
- 1999年
- 基于被应用于实际设计之中的统一的铁电器件模型，详细讨论了２Ｔ２Ｃ组态的铁电破坏性读出存储器单元的设计。在此基础上，设计和制造了分立元件的单元测试电路。通过与普通电容的对比实验，证实了铁电破坏性读出随机读取存储器与普通随机读取存储器不同的工作原理和模式。进而获得了被测ＦＲＡＭ单元的特性波形和铁电材料存储特性的有关数据。这些工作为进一步进行大规模铁电存储器的研究作了准备。
- 洪晓菁俞承芳虞惠华汤庭鳌姚海平李宁钟琪
- 关键词：存储器铁电器件
- 铁电薄膜制备、特性及集成铁电电容制备技术研究
- 姚海平
- 关键词：铁电薄膜
- SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究
- 2000年
- 我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的影响.我们运用将Zr及Ti有机物溶液加入Pb的有机溶液的新的制备工艺流程以精确地控制Pb/Zr/Ti的组分,从而制备出性能良好的铁电薄膜.在大量实验的基础上,我们绘制出扩散炉和快速热退火时,钙钛矿的形成与退火温度及时间的关系图,并且得出PZT铁电薄膜最佳的退火温度和时间区域.
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝程旭姚海平钟琪
- 关键词：SOL-GELPZT钙钛矿结构
- 用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究被引量：1
- 2000年
- 制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件。
- 颜雷黄维宁姜国宝汤庭鳌程旭钟琪姚海平汤祥云
- 关键词：铁电存储器反应离子刻蚀铁电薄膜
- SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究
- 我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的...
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝程旭姚海平钟琪
- 关键词：SOL-GELPZT钙钛矿结构铁电薄膜退火温度
- 文献传递
