颜雷
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>
- 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFISFET)研究
- 该论文以不挥发非破坏性读出铁电存储器MFIS为主要研究对象,具有较高的理论意义和实际意义.目前,铁电存储器研究的主要问题集中在以下几个方面:一、新型铁电材料制备及已有铁电材料的改性;二、集成铁电电容制备以及与CMOS工艺...
- 颜雷
- 关键词：铁电薄膜FERAM
- 文献传递
- 用于MFIS的ZrO_2薄膜的制备及特性研究
- 2000年
- 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器金属 /铁电 /半导体器件结构中 ,存在着铁电薄膜与半导体衬底之间相互扩散、离子陷阱密度高、铁电薄膜难于直接淀积在硅衬底上、电荷注入等问题 ,因此在铁电薄膜与半导体之间增加一层合适的介质材料作为阻挡层是制备不挥发非破坏性读出铁电存储器的关键。文中研究了运用 SOL- GEL方法制备 Zr O2 介质层的方法 ,并且对制备的介质层的成份、结构、电特性进行了分析 ,为研制 MFIS作了准备。
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝
- 关键词：铁电薄膜半导体材料
- SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究
- 2000年
- 我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的影响.我们运用将Zr及Ti有机物溶液加入Pb的有机溶液的新的制备工艺流程以精确地控制Pb/Zr/Ti的组分,从而制备出性能良好的铁电薄膜.在大量实验的基础上,我们绘制出扩散炉和快速热退火时,钙钛矿的形成与退火温度及时间的关系图,并且得出PZT铁电薄膜最佳的退火温度和时间区域.
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝程旭姚海平钟琪
- 关键词：SOL-GELPZT钙钛矿结构
- MFIS结构的C-V特性被引量：3
- 2000年
- 研究了运用 SOL- GEL方法制备的 Au/PZT(铅锆钛 ) /Zr O2 /Si结构电容即 MFIS(Met-al/Ferroelectric /Insulator/Semiconductor)电容的方法 ,并对其进行了 SEM、C- V特性测试及Zr O2 介质层介电常数分析 .研究了 C- V存储窗口 (Memory Window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系 ,得出 MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为 7— 1 0左右 ,在外加电压- 5V- +5V时存储窗口可达 2 .52 V左右 .
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝钟琪汤祥云
- 关键词：MFISC-V特性铁电薄膜电滞回线
- 应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性被引量：2
- 2002年
- 将 Zr O2 和 PZT的 sol- gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中 ,制作出应用 Al/ PZT/ Zr O2 / p- Si结构的 MFIS电容和单管 MFIS FET,研究了 MFIS电容的界面和存储窗口特性 ,结果表明 Zr O2 介质阻挡层和 Si衬底以及 PZT的附着良好 ,在± 5 V测试电压、1MHz测试频率下 ,存储窗口电压为 2 .6 V左右 ,与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为 0 .8.对于宽长比为 5 0 0μm / 5 0μm器件 ,采用栅极与源极、漏极写入方式 ,± 10 V时在写入电压下得到理想的输入 -输出特性 ;小尺寸的 4 0μm/ 8μm器件在± 5
- 颜雷林殷茵汤庭鳌黄维宁姜国宝
- 关键词：铁电存储器铁电薄膜MFISFET
- 用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究被引量：1
- 2000年
- 制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件。
- 颜雷黄维宁姜国宝汤庭鳌程旭钟琪姚海平汤祥云
- 关键词：铁电存储器反应离子刻蚀铁电薄膜
- SOL-GEL方法制备PZT铁电薄膜新方法及铁电特性研究
- 我们用SOL-GEL方法对PZT的制备进行了深入细致的研究,PZT薄膜不同组分的加入顺序对铁电特性的影响较小,而精确地控制PZT铁电薄膜的组分是制备性能良好的铁电薄膜的关键,铁电薄膜的退火条件对铁电薄膜特性有着至关重要的...
- 颜雷汤庭鳌黄维宁姜国宝程旭姚海平钟琪
- 关键词：SOL-GELPZT钙钛矿结构铁电薄膜退火温度
- 文献传递
- 新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)被引量：1
- 1998年
- 长期以来，人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属／铁电／半导体（MFS）结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。
- 颜雷黄维宁姜国宝汤庭鳌
- 关键词：铁电存储器电滞回线FRAM
