袁汉章
- 作品数：11 被引量：78H指数：6
- 供职机构：中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学天文地球冶金工程更多>>
- X射线荧光滤纸片法分析Y-Ba-Cu-O体系超导薄膜中Y/Cu、Ba/Cu的原子比被引量：6
- 1990年
- 本文根据薄试样原理,用溶液滤纸片法制备标准样品,使用X射线荧光光谱法测定Y-Ba-Cu-O超导薄膜中Y/Cu、Ba/Cu原子比。研究了不同离子在滤纸片上的分布,并在此基础上确立了一套比较可靠的标准样品制备条件,适用于薄膜样品分析。
- 刘洋袁汉章秦颖
- 关键词：超导膜
- 半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究被引量：7
- 1994年
- 本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ｇｅ在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明，在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性，掺杂元素向单晶中心区域富集，这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。
- 闻莺袁汉章朱腾刘亚雯
- 关键词：半导体硅锗微区分析
- X射线荧光光谱法测定硫化物矿中的主元素被引量：9
- 1992年
- 本文选择了理想的熔剂,对铂-黄坩埚的腐蚀性小。采用低温预氧化,高温熔融的制样方法,以X射线荧光光谱法测定硫化物矿中Pb、Zn、Cu、S等主元素。方法应用于铅锌矿流程分析,结果满意。
- 袁汉章刘洋秦颖
- 关键词：X射线荧光铅锌矿
- 用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量：2
- 1994年
- 利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。
- 吴强刘亚雯魏成连袁汉章朱腾闻莺
- 关键词：X射线荧光硅
- 用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布被引量：1
- 1992年
- 半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
- 刘亚雯吴强胡金生魏成连袁汉章朱腾闻莺
- 关键词：XRF硅砷
- 用XRF微探针研究掺杂元素锗在单晶硅中的分布被引量：1
- 1995年
- 用同步辐射及Ｘ光管激发Ｘ射线荧光微区分析技术研究了单晶硅中掺杂元素Ｇｅ的定性分布，为半导体材料中掺杂元素行为的研究提供了一种新的方法。
- 吴强刘亚雯魏成连袁汉章
- 关键词：半导体材料单晶硅XRF锗
- 化探样品中二十五个主要、次要和微量元素的 X 射线荧光光谱测定被引量：7
- 1989年
- 本文选择了最佳测量条件,找出了一个寻找背景的简便方法,着重研究了关于在铁吸收限长波边微量元素的基体校正问题。
- 袁汉章刘洋贾乐庚
- 关键词：化探样品X射线
- X射线荧光光谱分析被引量：22
- 1989年
- 本评论收集了1986年7月至1988年6月国内主要分析刊物和会议上发表的373篇文章。评述了在此期间我国X射线荧光光谱分析的概况与进展,内容包括:仪器、数据处理、应用、标准化和标准方法以及分析技术等六个方面。
- 马光祖袁汉章
- 关键词：射线理论荧光分析荧光光谱分析基本参数法经验系数法
- X射线荧光光谱法测定锰结核中锰的价态被引量：13
- 1989年
- 本文研究了锰的Kβ1.3谱线位移与元素价态之间的关系。以金属锰作为参考物质,测定不同化合物中MnKβ1.3谱线位移,它们的相对差值Δ2θ=2θ°(金属锰)—2θ°(样品),作为判断锰的价态依据。来源于太平洋深海中锰结核的锰价态主要以+4价存在。
- 袁汉章宫清
- 关键词：锰结核荧光光谱法锰X射线
- 理论α系数在铝硅耐火材料X射线荧光光谱分析中的应用——理学基本参数法程序的应用之一被引量：6
- 1990年
- 国内外早已采用熔融法X射线荧光光谱测定耐火材料中主元素,人们普遍认为采用X荧光测定铝硅耐火材料的最终产品,与化学法相比,分析时间要快好几倍。国内在测定铝硅耐火材料时,几乎都是用一套标样的回归法求取经验系数。本文将利用日本理学的基本参数法程序。
- 袁汉章刘洋秦颖郭盛昉张芳莉宁爱萍
- 关键词：硅耐火材料
