张继荣
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- DLY-2型P-N导电类型鉴别仪校准方法
- 文章对DLY-2型P-N导电类型鉴别仪的原理、结构及计量特性进行了阐述，给出了校准P-N导电类型鉴别仪的方法，并对本仪器校准结果进行了处理。
- 张继荣
- 关键词：导电类型半导体材料
- γ辐照对硅单晶电学参数的影响被引量：7
- 2005年
- 对CZ(直拉法)和FZ(区熔法)硅单晶进行了一定剂量的γ辐照实验,并将辐照前后的电学参数变化进行了对比。结果表明,在实验中所用剂量的γ辐照,对CZ和FZ硅单晶电阻率影响不大,而对其少子寿命影响很大。
- 张继荣史继祥佟丽英
- 关键词：Γ辐照硅单晶电阻率少子寿命
- 中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化被引量：2
- 2005年
- CZ 硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650￣700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始值。
- 张继荣薛佳伟佟丽英
- 关键词：硅单晶电阻率辐照
- 高频光电导衰减法测试Ge单晶少数载流子寿命被引量：2
- 2010年
- 高频光电导衰减法是测量Ge单晶少数载流子寿命常用的方法,高频脉冲信号照射到单晶表面时,产生非平衡载流子,非平衡载流子的复合时间长短反映了少数载流子寿命的大小。电阻率越低,少数载流子寿命越小,仪器就难以测试。介绍了电阻率为0.03~0.04Ω.cm Ge单晶少数载流子寿命的测试方法。通过理论分析及实际测试,发现影响Ge单晶测试的主要因素有3个,即样品的表面状态、厚度及测试仪器的小注入水平。通过规范这些测试条件,能够测试低阻Ge单晶的少数载流子寿命。
- 佟丽英王俭峰史继祥张继荣邢友翠戚红英李亚帅
- 关键词：锗单晶禁带宽度光注入少子寿命
