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用于微等离子体无掩膜刻蚀的微悬臂梁探针的设计和加工被引量：1: 2011年; 设计了一种用于微等离子体无掩膜刻蚀加工的微悬臂梁探针结构,即将微等离子体放电器集成在SiO2悬臂梁探针端部的空心针尖上,等离子体从针尖处的纳米孔导出,以实现高精度、高效率的无掩膜扫描刻蚀加工.设计了该悬臂梁探针的加工工艺流程,即对(100)硅片进行各向异性湿法刻蚀得到倒金字塔槽,并双面氧化,然后依次沉积并图形化微放电器的上、下电极和绝缘层,最后背面释放出带空心针尖的SiO2悬臂梁,并加工出针尖尖端的纳米孔.成功制作出质量良好、具有很高成品率的带薄壁空心针尖的SiO2悬臂梁探针阵列及倒金字塔型微放电器.实验结果表明,该微放电器能在3～15 kPa的SF6气体中稳定放电,为悬臂梁探针阵列和微放电器的工艺集成以及Si基材料的无掩膜扫描刻蚀加工奠定基础.; 文莉向伟玮张秋萍王海何利文褚家如; 关键词：微等离子体微悬臂梁

仿生粘附结构的方向性粘附机理研究: 壁虎等动物的微纳分级粘附系统为具有仿生粘附结构的干粘附材料的研发提供了仿生学原型。这种仿生粘附材料在爬壁机器人,微操纵,微纳转印工艺,生物医学胶带等领域具有广泛的应用前景。生物和仿生粘附力学,仿生粘附结构的加工方法和测试...; 何利文; 关键词：优化设计; 文献传递

用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究: 2011年; 研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能。分析了聚酰亚胺制备过程中亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功率、气体流量、气体成分、清洗等因素对于薄膜质量、刻蚀速率和残留物的影响,设计了用于测定聚酰亚胺介电常数和击穿强度的电路。实验表明,当聚酰亚胺热环化采用阶梯升温方式,反应离子刻蚀功率为60 W、O2流量为60 cm3/min(标准状态)、加入5%SF6或10%CHF3时,可保证较好的薄膜质量且获得较高的刻蚀速率。实验测得聚酰亚胺相对介电常数为2.8,介电击穿强度为125 V/μm,使用该聚酰亚胺作为绝缘层而制备的微放电器可在10 kPa SF6中稳定放电。; 张秋萍文莉向伟玮曾洪江何利文褚家如; 关键词：聚酰亚胺微放电亚胺化刻蚀速率介电性能

硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用: 2011年; 在微等离子体无掩模加工研究中,单晶硅在分布应力作用下的非均匀氧化现象决定了采用各向同性刻蚀得到氧化硅空心针尖纳米孔的可行性和可靠性.以V型槽为对象,研究了单晶硅在槽尖端的非均匀氧化现象.利用高温下氧化硅的黏弹性特性,建立了硅在几何约束导致的分布应力作用下的热氧化模型.该模型表明,应力通过抑制氧元素在氧化硅层中的扩散和氧化反应速率来抑制氧化进行,从而非均匀的应力分布造成了非均匀的氧化层厚度.实验证明,硅在应力作用和几何约束下的热氧化,当氧化层厚度仅为160 nm时,不同温度下的厚度非均匀性基本一致,为72%左右;而当氧化厚度增长为1.1μm时,低温与高温下的厚度非均匀性差距显著增大,分别为42%和100%.分析表明,氧化层厚度非均匀性是应力生成与应力释放过程的综合作用结果,受到氧化温度和氧化时间两个可控因素的共同影响.在此基础上,利用硅在950℃下10 h的应力非均匀氧化及后续稀释氢氟酸的各向同性刻蚀成功制作出空心针尖阵列尖端直径为50 nm^200 nm的纳米孔.; 向伟玮文莉刘勇张秋萍何利文褚家如; 关键词：硅应力纳米孔

一种微放电器性能测试装置及方法: 本发明实施例公开了一种微放电器性能测试装置，该装置包括：上盖板可拆卸的真空腔，且所述真空腔的上盖板上设置有观察窗与过真空接口；位于所述真空腔内部的支撑台，支撑台上方可放置待测的微放电器；通过电极引线与所述微放电器相连的外...; 文莉何利文褚家如王海; 文献传递

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何利文