张秋萍
- 作品数：10 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学工程科学学院精密机械与精密仪器系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 几何约束下单晶硅应力非均匀氧化影响因素研究
- 在硅微纳加工技术中，几何约束下单晶硅应力非均匀氧化有着广泛应用，例如高深宽比AFM针尖锐化工艺;高精度纳米点、线及复杂结构制造工艺等。在微等离子体无掩模刻蚀加工研究中，等离子体需从倒金字塔空心针尖尖端的纳米孔导出，以实现...
- 向伟玮文莉张秋萍刘勇褚家如
- 关键词：单晶硅微纳加工
- 文献传递
- 用于无掩膜刻蚀的微放电器的工艺和性能研究
- 等离子体刻蚀技术因其较高的刻蚀速率、良好的方向性和材料选择性等优势得到了广泛应用。但在传统的刻蚀加工中，等离子体作用于整个样品表面，需要昂贵的设备及复杂的图形转移工艺来实现局域加工。近年来，许多研究者尝试将等离子体限制在...
- 张秋萍
- 关键词：等离子体刻蚀
- 文献传递
- 用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究
- 2011年
- 研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能。分析了聚酰亚胺制备过程中亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功率、气体流量、气体成分、清洗等因素对于薄膜质量、刻蚀速率和残留物的影响,设计了用于测定聚酰亚胺介电常数和击穿强度的电路。实验表明,当聚酰亚胺热环化采用阶梯升温方式,反应离子刻蚀功率为60 W、O2流量为60 cm3/min(标准状态)、加入5%SF6或10%CHF3时,可保证较好的薄膜质量且获得较高的刻蚀速率。实验测得聚酰亚胺相对介电常数为2.8,介电击穿强度为125 V/μm,使用该聚酰亚胺作为绝缘层而制备的微放电器可在10 kPa SF6中稳定放电。
- 张秋萍文莉向伟玮曾洪江何利文褚家如
- 关键词：聚酰亚胺微放电亚胺化刻蚀速率介电性能
- 微小等离子体发生器刻蚀机理的研究被引量：1
- 2008年
- 采用二维流体模型对扫描刻蚀加工中的微小等离子体发生器的刻蚀机理进行了数值仿真研究。该微小等离子体发生器为微空心阴极放电器件,当工作气体为SF6,工作气压在5 kPa^9 kPa时,空心阴极处微孔半径为0.25μm时,空心阴极外部区域的F原子的有效弥散长度在0.5μm^1.8μm之间变化,且浓度在3×1011cm-3~1.7×1012cm-3之间,基本满足扫描刻蚀加工的需求。
- 王海文莉向伟伟张秋萍褚家如
- 关键词：等离子体模拟
- 基于TFN-AHP综合评价模型的机器人设计选择被引量：1
- 2009年
- 针对机器人设计中的牵涉学科广,交叉范围大,待选方案多的特点,结合传统层次分析法(AHP)和模糊数学理论,提出一种机器人设计方案的选择和评价的新方法.该方法建立三角模糊数判断矩阵,利用AHP的模糊扩展模型计算评价因素的权重系数,并利用三角模糊数评估各方案的单指标等级,通过递阶层次结构综合评价机器人设计方案,获得最终选择结果.仿人步行机器人选择实例证明该模型适合并能够推广.
- 钟小强董雨滕伟冰张秋萍竺长安
- 关键词：机器人层次分析法三角模糊数
- 用于微等离子体无掩膜刻蚀的微悬臂梁探针的设计和加工被引量：1
- 2011年
- 设计了一种用于微等离子体无掩膜刻蚀加工的微悬臂梁探针结构,即将微等离子体放电器集成在SiO2悬臂梁探针端部的空心针尖上,等离子体从针尖处的纳米孔导出,以实现高精度、高效率的无掩膜扫描刻蚀加工.设计了该悬臂梁探针的加工工艺流程,即对(100)硅片进行各向异性湿法刻蚀得到倒金字塔槽,并双面氧化,然后依次沉积并图形化微放电器的上、下电极和绝缘层,最后背面释放出带空心针尖的SiO2悬臂梁,并加工出针尖尖端的纳米孔.成功制作出质量良好、具有很高成品率的带薄壁空心针尖的SiO2悬臂梁探针阵列及倒金字塔型微放电器.实验结果表明,该微放电器能在3～15 kPa的SF6气体中稳定放电,为悬臂梁探针阵列和微放电器的工艺集成以及Si基材料的无掩膜扫描刻蚀加工奠定基础.
- 文莉向伟玮张秋萍王海何利文褚家如
- 关键词：微等离子体微悬臂梁
- 硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用
- 2011年
- 在微等离子体无掩模加工研究中,单晶硅在分布应力作用下的非均匀氧化现象决定了采用各向同性刻蚀得到氧化硅空心针尖纳米孔的可行性和可靠性.以V型槽为对象,研究了单晶硅在槽尖端的非均匀氧化现象.利用高温下氧化硅的黏弹性特性,建立了硅在几何约束导致的分布应力作用下的热氧化模型.该模型表明,应力通过抑制氧元素在氧化硅层中的扩散和氧化反应速率来抑制氧化进行,从而非均匀的应力分布造成了非均匀的氧化层厚度.实验证明,硅在应力作用和几何约束下的热氧化,当氧化层厚度仅为160 nm时,不同温度下的厚度非均匀性基本一致,为72%左右;而当氧化厚度增长为1.1μm时,低温与高温下的厚度非均匀性差距显著增大,分别为42%和100%.分析表明,氧化层厚度非均匀性是应力生成与应力释放过程的综合作用结果,受到氧化温度和氧化时间两个可控因素的共同影响.在此基础上,利用硅在950℃下10 h的应力非均匀氧化及后续稀释氢氟酸的各向同性刻蚀成功制作出空心针尖阵列尖端直径为50 nm^200 nm的纳米孔.
- 向伟玮文莉刘勇张秋萍何利文褚家如
- 关键词：硅应力纳米孔
- 利用溅射反转剥离工艺实现微放电器Ni电极图形化被引量：1
- 2010年
- 研究了实现微放电器Ni电极图形化的溅射反转剥离工艺,即采用磁控溅射沉积Ni薄膜,利用图像反转法实现金属剥离.以硅为基底分析了转型烘烤和显影等因素对AR-U4030光刻胶反转的作用,研究了Ni膜溅射功率、时间以及超声振洗等条件对剥离的影响.实验表明,剥离Ni膜厚度为200nm时,图形精度可达2μm.最后,利用溅射反转剥离工艺实现了倒金字塔深槽中金属的剥离,简化了微放电器Ni电极的图形化工艺,由此制备的微放电器在SF6等离子体中稳定放电.
- 张秋萍文莉向伟伟王海褚家如
- 关键词：溅射
- 微小等离子体反应器的导出机理研究
- 扫描刻蚀加工系统作为一种无掩膜加工技术，集成了扫描探针加工的分辨率高和等离子体加工适用范围广的优点。刻蚀速率和分辨率是该系统的关键参数，为此有必要对其刻蚀机理进行深入研究。微小等离子体反应器是上述加工系统的核心部件，笔者...
- 王海张秋萍向伟伟文莉褚家如
- 关键词：等离子体反应器数值仿真
- 文献传递
- 用于无掩膜刻蚀的微小等离子体反应器的工艺制备和性能测试
- 等离子体刻蚀技术因其较高的刻蚀速率、良好的方向性和材料选择性等优势得到了广泛应用。但在传统的刻蚀加工中，等离子体作用于整个样品表面，需要昂贵的设备及复杂的图形转移工艺来实现局域加工。近年来，许多研究者尝试将等离子体限制在...
- 张秋萍
- 关键词：等离子体刻蚀倒金字塔
- 文献传递
