向伟玮
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学工程科学学院精密机械与精密仪器系更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 几何约束下单晶硅应力非均匀氧化影响因素研究
- 在硅微纳加工技术中，几何约束下单晶硅应力非均匀氧化有着广泛应用，例如高深宽比AFM针尖锐化工艺;高精度纳米点、线及复杂结构制造工艺等。在微等离子体无掩模刻蚀加工研究中，等离子体需从倒金字塔空心针尖尖端的纳米孔导出，以实现...
- 向伟玮文莉张秋萍刘勇褚家如
- 关键词：单晶硅微纳加工
- 文献传递
- 用于微等离子体无掩膜加工的带纳米孔空心针尖制作工艺研究
- 微纳米加工中，等离子体刻蚀技术因具有高刻蚀速率、良好的方向性和材料选择性等优势得到了广泛应用。但传统的刻蚀加工中，等离子体作用于整个样品表面，需要复杂且昂贵的掩膜来得到特定图形或结构。而将尺度微型化的微等离子体，除继承了...
- 向伟玮文莉王海张秋萍褚家如
- 关键词：等离子体刻蚀微纳米加工
- 文献传递
- 用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究
- 2011年
- 研究了一种应用于微放电器的聚酰亚胺绝缘材料的工艺及性能。分析了聚酰亚胺制备过程中亚胺化程度以及图形化过程中反应离子刻蚀功率、气体流量、气体成分、清洗等因素对于薄膜质量、刻蚀速率和残留物的影响,设计了用于测定聚酰亚胺介电常数和击穿强度的电路。实验表明,当聚酰亚胺热环化采用阶梯升温方式,反应离子刻蚀功率为60 W、O2流量为60 cm3/min(标准状态)、加入5%SF6或10%CHF3时,可保证较好的薄膜质量且获得较高的刻蚀速率。实验测得聚酰亚胺相对介电常数为2.8,介电击穿强度为125 V/μm,使用该聚酰亚胺作为绝缘层而制备的微放电器可在10 kPa SF6中稳定放电。
- 张秋萍文莉向伟玮曾洪江何利文褚家如
- 关键词：聚酰亚胺微放电亚胺化刻蚀速率介电性能
- 摆臂式三点光学镜面支撑系统的研究被引量：5
- 2005年
- 提出了一种摆臂式三点光学镜面支撑系统,分析了其结构原理和工作性能,给出了实现的方法和制造工艺。该支撑系统具有结构简单、刚度恒定以及无附加温度应力等特点,可用于中小型光学镜面和光学元件的支撑,特别适用于空间仪器的光学加工领域。
- 杨德华向伟玮
- 关键词：光学镜面刚度温度应力光学元件光学加工
- 用于微等离子体无掩膜刻蚀的微悬臂梁探针的设计和加工被引量：1
- 2011年
- 设计了一种用于微等离子体无掩膜刻蚀加工的微悬臂梁探针结构,即将微等离子体放电器集成在SiO2悬臂梁探针端部的空心针尖上,等离子体从针尖处的纳米孔导出,以实现高精度、高效率的无掩膜扫描刻蚀加工.设计了该悬臂梁探针的加工工艺流程,即对(100)硅片进行各向异性湿法刻蚀得到倒金字塔槽,并双面氧化,然后依次沉积并图形化微放电器的上、下电极和绝缘层,最后背面释放出带空心针尖的SiO2悬臂梁,并加工出针尖尖端的纳米孔.成功制作出质量良好、具有很高成品率的带薄壁空心针尖的SiO2悬臂梁探针阵列及倒金字塔型微放电器.实验结果表明,该微放电器能在3～15 kPa的SF6气体中稳定放电,为悬臂梁探针阵列和微放电器的工艺集成以及Si基材料的无掩膜扫描刻蚀加工奠定基础.
- 文莉向伟玮张秋萍王海何利文褚家如
- 关键词：微等离子体微悬臂梁
- 硅应力非均匀氧化影响因素及其在纳米孔制作中的应用
- 2011年
- 在微等离子体无掩模加工研究中,单晶硅在分布应力作用下的非均匀氧化现象决定了采用各向同性刻蚀得到氧化硅空心针尖纳米孔的可行性和可靠性.以V型槽为对象,研究了单晶硅在槽尖端的非均匀氧化现象.利用高温下氧化硅的黏弹性特性,建立了硅在几何约束导致的分布应力作用下的热氧化模型.该模型表明,应力通过抑制氧元素在氧化硅层中的扩散和氧化反应速率来抑制氧化进行,从而非均匀的应力分布造成了非均匀的氧化层厚度.实验证明,硅在应力作用和几何约束下的热氧化,当氧化层厚度仅为160 nm时,不同温度下的厚度非均匀性基本一致,为72%左右;而当氧化厚度增长为1.1μm时,低温与高温下的厚度非均匀性差距显著增大,分别为42%和100%.分析表明,氧化层厚度非均匀性是应力生成与应力释放过程的综合作用结果,受到氧化温度和氧化时间两个可控因素的共同影响.在此基础上,利用硅在950℃下10 h的应力非均匀氧化及后续稀释氢氟酸的各向同性刻蚀成功制作出空心针尖阵列尖端直径为50 nm^200 nm的纳米孔.
- 向伟玮文莉刘勇张秋萍何利文褚家如
- 关键词：硅应力纳米孔
