李艳萍
- 作品数：14 被引量：23H指数：3
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 不同温度退火的HfTiON栅介质MOS电容电特性研究
- 2008年
- 在N2/O2气氛中,使用Ti、Hf靶共反应溅射在衬底Si上淀积一种新型栅介质材料HfTiON,随后分别在N2气氛中600°C和800°C退火2min。电容电压(C-V)特性和栅极漏电流特性测试结果表明,800°C快速热退火(RTA)样品表现出更低的界面态密度、更低的氧化物电荷密度和更好的器件可靠性,这是由于在800°C下的RTA能有效地消除溅射生长过程中导致的损伤,形成高质量、高可靠性的介质/Si界面。
- 陈卫兵徐静平李艳萍许胜国邹晓
- 关键词：高K栅介质快速热退火栅极漏电流
- SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量：2
- 2006年
- 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。
- 邹晓徐静平李艳萍陈卫兵苏绍斌
- 关键词：阈值电压短沟道效应
- 小尺寸MOSFET阈值电压模型及高k栅介质制备
- 随着集成电路集成密度的不断增加,MOSFET的特征尺寸越来越小,器件结构参数的选取逐渐逼近其物理极限,进一步缩小MOSFET面临一系列的困难和挑战,尤其是精确的器件建模和模拟以及MOSFET栅介质的选取和制备及其与衬底的...
- 李艳萍
- 关键词：MOSFET阈值电压高K栅介质量子效应
- 文献传递
- 深亚微米MOSFET阈值电压模型被引量：3
- 2005年
- 文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂移的影响,获得了最佳的k值范围。
- 李艳萍徐静平陈卫兵邹晓
- 关键词：MOSFET短沟道效应高K栅介质
- 表面处理对HfO_2栅介质MOS电容界面特性的影响被引量：1
- 2007年
- 在溅射淀积HfO2栅介质之前,采用NO、N2O、O2+CHCCl3(TCE)进行表面预处理。结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。其机理在于TCE分解产生的Cl2和HCl能有效地钝化界面附近Si悬挂键和其它结构缺陷,并能去除离子污染。
- 徐静平李艳萍许胜国陈卫兵季峰
- 关键词：界面态密度三氯乙烯
- 表面预处理对HfO_2栅介质MOS器件漏电特性的影响被引量：3
- 2006年
- 采用反应磁控溅射方法,在Si衬底上制备了不同表面预处理和不同后退火处理的HfO2栅介质MOS电容。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。器件的界面特性和栅极漏电机理分析表明,界面态和氧化物陷阱是引起大的栅极漏电流的主要因素。采用新颖的O2+CHCl3(TCE)表面预处理工艺,可以显著降低界面态和氧化物陷阱密度,从而大大减小栅极漏电流和SILC效应。
- 许胜国徐静平李艳萍陈卫兵季峰
- 关键词：HFO2MOS器件栅极漏电流界面态
- 新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究被引量：2
- 2006年
- 采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态密度和氧化层的有效电荷密度,并同时提取重金属以提高传感器的性能,使其可在高温(如300℃)等恶劣环境下长期可靠的工作,研究还发现:适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。
- 韩弼徐静平李艳萍陈卫兵邹晓李春霞
- 关键词：肖特基势垒二极管气体传感器
- 深亚微米MOSFET的蒙特卡罗快速模拟
- 2007年
- 用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟.在泊松方程的求解上,使用了矩阵法,与一般的迭代方法相比,求解速度得到了极大的提高.为减少自散射的次数,用阶梯自散射方案求电子的自由飞行时间.这两个措施的实施,减小了蒙特卡罗模拟时间,加快了模拟速度.模拟中主要考虑了电离杂质、声学形变势、表面粗糙散射和电子谷间散射四种散射机制.模拟的MOSFET输出特性曲线和电子速度在沟道中的分布与报道的相关结果符合得很好.
- 季峰徐静平陈卫兵李艳萍
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管蒙特卡罗
- 高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析被引量：2
- 2004年
- 对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑 ,得出选用k <5 0且Tk/L≤ 0 .2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能。
- 陈卫兵徐静平邹晓李艳萍赵寄
- 关键词：高K栅介质金属-氧化物-半导体场效应晶体管阈值电压
- 小尺寸MOSFET隧穿电流解析模型被引量：5
- 2006年
- 基于表面势解析模型,通过将多子带等效为单子带,建立了耗尽/反型状态下小尺寸MOSFET直接隧穿栅电流解析模型.模拟结果与自洽解及实验结果均符合较好,表明此模型不仅可用于SiO2、也可用于高介电常数(k)材料作为栅介质以及叠层栅介质结构MOSFET栅极漏电特性的模拟分析,计算时间较自洽解方法大大缩短,适用于MOS器件电路模拟.
- 陈卫兵徐静平邹晓李艳萍许胜国胡致富
- 关键词：隧穿电流MOSFET解析模型
