苏绍斌
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量：2
- 2006年
- 通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。
- 邹晓徐静平李艳萍陈卫兵苏绍斌
- 关键词：阈值电压短沟道效应
- MOS电容高频C-V测试平台及SiGe PMOSFET阈值电压研究
- MOS电容高频C-V特性测量广泛应用于全球的半导体制造行业和研究单位，为研究半导体表面的特性提供了一个非常有力的手段;SiGe 材料由于具有迁移率高、禁带宽度小，与CMOS工艺具有较好的工艺兼容性等优点，成为制作高频、低...
- 苏绍斌
- 关键词：SIGE材料CMOS工艺电容检测阈值电压
- 文献传递
- 应变SiGe沟道PMOSFET阈值电压模型被引量：1
- 2008年
- 首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符合。利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,并简要讨论了无Sicap层器件的阈值电压。
- 徐静平苏绍斌邹晓
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管阈值电压
