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周晓滢

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇光致
  • 2篇发光
  • 2篇GAN材料
  • 1篇淀积
  • 1篇退火
  • 1篇气相淀积
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇化学气相淀积
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致荧光
  • 1篇二极管
  • 1篇发光二极管
  • 1篇半导体
  • 1篇P型
  • 1篇P型掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇胡卉
  • 3篇罗毅
  • 3篇周晓滢
  • 3篇郭文平
  • 2篇孙长征
  • 1篇薛松
  • 1篇邵嘉平
  • 1篇韩彦军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第八届全国L...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇2002
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
氮化镓基蓝光发光二极管瞬态光荧光谱的研究
本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析.
胡卉郭文平邵嘉平周晓滢韩彦军薛松孙长征罗毅
关键词：氮化镓发光二极管金属有机化学气相淀积
文献传递
不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光被引量：5
2002年
究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随着退火温度的升高 ,不同掺杂浓度的 Mg∶ Ga N材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小 ,经 85 0℃退火后蓝带集中在 2 .92 e V附近 .利用 Mg∶ Ga N材料内部补偿模型对此现象进行了分析 ,同时认为对于掺杂浓度较高的样品 ,85 0℃为最佳的退火温度 .
周晓滢郭文平胡卉孙长征罗毅
关键词：P型掺杂光致发光退火氮化镓
不同Mg掺杂浓度Mg:GaN材料的特性研究
对利用LP-MOCVD方法生长出的不同Mg掺杂浓度的Mg:GaN样品薄膜的发光特性进行研究.测试手段为光致荧光(PL)和喇曼散射光谱(RS).结果表明:随着Mg掺杂浓度的提高,Mg:GaN材料补偿增大,光致荧光谱红移;材...
周晓滢郭文平胡卉罗毅
关键词：化合物半导体GAN材料光致荧光
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