江保锋
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
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- ZnO(0001)Zn极性面上不同单体生长动力学特性
- 2012年
- 通过第一性原理和密度泛函方法,计算了在富锌和富氧条件下形成的Zn原子、ZnO分子、Zn3O1和Zn1O3团簇等不同单体在ZnO(0001)Zn极性面上典型的纤锌矿和闪锌矿结构沉积位的系统总能及其扩散势垒和相互作用能.结果表明,Zn1O3和Zn3O1团簇以及Zn原子单体易于获得纤锌矿结构的ZnO,而ZnO分子的稳定性较弱且易于沉积于闪锌矿位;富锌条件形成的Zn3O1团簇单体或Zn原子单体,有利于在较低温度下获得均匀结构的晶体;Zn3O1团簇单体则会形成具有一定孔洞的单一相晶体,而Zn1O3单体易形成致密的晶体;以Zn原子、Zn3O1和Zn1O3团簇为单体的沉积更易于聚集,而ZnO分子则不利于成核.
- 江保锋张纯淼陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼康俊勇
- 关键词：第一性原理ZNO生长动力学
- 不同单体在ZnO(0001)-Zn极性面上生长的机制
- ZnO作为第三代的宽禁带化合物半导体,其禁带宽度约为3.37eV,恰好对应紫外光激发区域。与GaN相比,ZnO具有更高的激子束缚能和更良好的热稳定性,因此ZnO在短波长光电器件,如紫外探测器、发光二极管和半导体激光器以及...
- 江保锋陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼李书平康俊勇
- (0001)Zn极性面上ZnO生长动力学研究
- 近年来，随着宽禁带化合物半导体制备技术的不断发展，以GaN和ZnO基半导体为代表的材料在光电子器件和微纳尺度电子器件得到普遍应用，受到人们广泛地关注。ZnO基半导体由于具有较宽禁带宽度和较大的激子束缚能等特点，使其在发光...
- 江保锋
- 关键词：生长动力学
- 文献传递
