您的位置： 专家智库 > >

李静

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：北京工业大学电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇欧姆接触
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇AU
  • 2篇N-GAAS
  • 1篇化合物半导体

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇李志国
  • 2篇程尧海
  • 2篇吉元
  • 2篇严永鑫
  • 2篇李静
  • 2篇李学信
  • 2篇孙英华
  • 1篇郭伟玲

传媒

  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究
1995年
本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。
李志国李静孙英华吉元程尧海严永鑫李学信
关键词：欧姆接触半导体器件
Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究被引量：3
1996年
对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ、Ａｎ和ＧａＡｓ的互扩散。
李志国李静孙英华郭伟玲吉元程尧海严永鑫李学信
关键词：半导体器件化合物半导体欧姆接触
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0