您的位置： 专家智库 > >

于婷

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇理学

主题

  • 4篇欧姆接触
  • 4篇环形电极
  • 4篇二极管
  • 4篇RTD
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇发射极
  • 2篇峰值电流
  • 2篇INGAN
  • 1篇氮化合物
  • 1篇电磁
  • 1篇调度
  • 1篇调度问题
  • 1篇异构
  • 1篇制造数据
  • 1篇设计环境
  • 1篇收敛速度
  • 1篇图形化
  • 1篇作业车间调度
  • 1篇作业车间调度...
  • 1篇漏洞

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇于婷
  • 4篇张进成
  • 4篇杨林安
  • 4篇薛军帅
  • 4篇林志宇
  • 4篇郝跃
  • 4篇黄金金
  • 4篇陆芹
  • 1篇李社教
  • 1篇何玮
  • 1篇来新泉
  • 1篇黄战武
  • 1篇沈振芳
  • 1篇刘永青
  • 1篇臧明相
  • 1篇姜建国

年份

  • 3篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
异构EDA设计中制造数据的自动提取与归一化存储方法
本发明公开了一种异构EDA设计中制造数据的自动提取与归一化存储方法，属PCB计算机辅助制造技术领域，分析异构电子设计EDA文件结构，创建自定义归一化数据结构，存储EDA文件中制造数据信息；针对不同EDA文件编写相应接口程...
来新泉李社教臧明相何玮沈振芳姜建国黄战武刘永青于婷
文献传递
铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n<Sup>+</Sup>GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
EM算法及其在作业车间调度中的应用研究
类电磁机制（EM）算法是模拟电磁场中带电粒子之间的吸引—排斥机制而提出的一种新型的全局优化方法。该算法具有所需资源少、寻优机理简单、搜索能力强等特点。目前对该算法的研究主要集中在对算法计算公式的改进上，虽然从一定程度上改...
于婷
关键词：作业车间调度问题收敛速度
文献传递
渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺
本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n<Sup>十</Sup>GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
GaN外延材料三维图形化结构的制备与特性研究
III族氮化物半导体（InN、GaN、AlN及其多元化合物）覆盖从0.7eV到6.2eV的禁带宽度范围，特别适合制作从红外光、可见光到紫外光的发光器件。截止目前，蓝光、绿光、黄光、紫光、紫外以及深紫外的GaN基LED（L...
于婷
关键词：半导体材料氮化合物光学效应
铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法
本发明公开了一种铟镓氮发射极欧姆接触层的RTD二极管及制作方法。本发明的二极管包括：GaN外延层，n<Sup>+</Sup>GaN集电极欧姆接触层，第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层，GaN主量子阱层，第二InAlN...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
文献传递
渐变In组分InGaN子量子阱的RTD二极管及工艺
本发明公开了一种渐变In含量InGaN子量子阱的RTD二极管。包括：GaN外延层、n<Sup>十</Sup>GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层，第一InAlN势垒层、GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、渐变In...
张进成黄金金于婷陆芹郝跃薛军帅杨林安林志宇
文献传递
基于机器学习的二进制漏洞挖掘技术研究
传统的软件漏洞挖掘技术是包括模糊测试、符号执行、模型检测和污点分析等在内的技术。近年来，大数据和机器学习的兴起又引导了新一轮的软件漏洞挖掘技术研究。目前，使用机器学习或数据挖掘进行软件漏洞挖掘的研究主要分为三大类：基于软...
于婷
关键词：程序切片模式识别
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0