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马杰

作品数:11 被引量:41H指数:5
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇机械工程
  • 3篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇光刻
  • 6篇电子束光刻
  • 5篇X射线光刻
  • 4篇衍射
  • 3篇衍射效率
  • 3篇MM
  • 2篇刻蚀
  • 2篇X射线
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇电镀
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇掩模
  • 1篇衍射光学
  • 1篇英文
  • 1篇硬X射线
  • 1篇支撑结构
  • 1篇射线
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇通孔

机构

  • 11篇中国科学院微...
  • 3篇中国工程物理...
  • 2篇北京工业大学
  • 1篇南京理工大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 11篇马杰
  • 11篇谢常青
  • 9篇朱效立
  • 9篇刘明
  • 6篇叶甜春
  • 5篇陈宝钦
  • 3篇李海亮
  • 3篇曹磊峰
  • 2篇张庆钊
  • 2篇杨家敏
  • 2篇赵珉
  • 1篇余志平
  • 1篇郭智
  • 1篇周洪军
  • 1篇徐洪杰
  • 1篇邰仁忠
  • 1篇吴坚
  • 1篇牛洁斌
  • 1篇靳飞飞
  • 1篇刘世炳

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇光学学报
  • 2篇微细加工技术
  • 1篇光电工程
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 4篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大面积10000线/毫米软X射线金属型透射光栅的设计、制作与检测被引量:5
2008年
基于严格的矢量耦合波理论,优化设计了用于13.4 nm软X射线干涉光刻的透射型双光栅掩模版.采用电子束光刻技术,在国内首次成功制作了周期为100 nm的大面积金属型透射光栅.光栅面积为1.5 mm×1.5 mm,Cr浮雕厚度为50 nm,Gap/period为0.6,衬底Si3N4厚度为100 nm.此光栅将用于上海光源软X射线干涉光刻实验站.利用其1级衍射光和2级衍射光将可以经济高效地制作周期为50和25 nm的大面积周期结构.最后,测量了该光栅对波长为13.4 nm同步辐射光的衍射光强度,并且推算得出该光栅的1级和2级衍射效率分别为4.41%和0.49%,与理论设计值比较符合.实验结果与理论模拟结果的对比表明该光栅侧壁陡直,Gap/period的控制也与设计值符合.
朱伟忠吴衍青郭智朱效立马杰谢常青史沛熊周洪军霍同林邰仁忠徐洪杰
关键词:衍射效率
自支撑透射光栅的设计、制作和测试被引量:4
2010年
采用标量衍射理论和严格耦合波理论分别计算和讨论了金自支撑透射光栅的衍射效率随波长和光栅周期变化的情况并设计了光栅的结构参数.制作了周期为300nm、线宽/周期比为0.55、厚度为200nm、总面积为1mm×1mm、有效面积比为65%的金自支撑透射光栅.在国家同步辐射实验室检测了该光栅在5.5—38nm波长范围内的绝对衍射效率.检测结果表明所制作的光栅在8nm附近具有接近10%的最大衍射效率,并且该光栅对于波长15—35nm范围内的极紫外波段具有基本稳定的衍射效率.
马杰谢常青叶甜春刘明
关键词:电子束光刻电镀
3333lp/mm X射线透射光栅的研制被引量:13
2008年
针对X射线透射光栅摄谱仪中的高线密度光栅,研究了采用电子束曝光和X射线曝光技术结合制作高线密度X射线透射光栅的工艺技术。首先利用电子束曝光和微电镀技术在镂空的薄膜上制备母光栅X射线掩模版,然后利用X射线曝光和微电镀技术小批量复制光栅。在国内首次完成了3333lp/mm X射线透射光栅的研制,栅线宽度为150nm,周期为300nm,金吸收体厚度为500nm。衍射效率标定的结果表明,该光栅的占空比合理、侧壁陡直,具有良好的色散特性,能够满足空间探测、同步辐射和变等离子诊断等多个领域的应用。
朱效立马杰谢常青叶甜春刘明曹磊峰杨家敏张文海
关键词:电子束光刻X射线光刻
AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
2006年
考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.
薛丽君夏洋刘明王燕邵雪鲁净马杰谢常青余志平
关键词:ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管极化电荷量子效应
带有通孔的X射线光刻掩模
本发明公开了一种带有通孔的X射线光刻掩模,包括:一支撑框架,其具有平滑的上表面,用于固定和支撑带有通孔的薄膜;一层带有通孔的薄膜,位于该支撑框架平滑的上表面;以及一组粘附在带有通孔的薄膜之上的吸收体。利用本发明,在抽真空...
谢常青马杰朱效立刘明陈宝钦叶甜春
文献传递
用于非球面测试的位相型计算全息图制作
2008年
本文对计算全息图元件的设计和制作关键技术进行了研究,自行开发了计算全息图元件光刻图形计算机生成算法和软件,研究了采用高速电子束直写系统制作大面积、非周期性复杂光刻图形技术,在此工作的基础上,采用湿法腐蚀铬、感应耦合等离子体刻蚀石英玻璃两步图形转移的方案,制作出了图形区直径为64 mm、最外环线条宽度为2.0μm、刻蚀深度为690 nm的位相型计算全息图元件,并对加工结果进行了测量。结果表明,本方案所制作的计算全息图元件具有良好的加工质量,符合应用的需求。
马杰朱效立谢常青叶甜春赵珉刘明陈宝钦朱日宏高志山马骏
关键词:计算全息图电子束光刻湿法腐蚀感应耦合等离子体刻蚀
高线密度X射线透射光栅的制作工艺被引量:13
2007年
采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.
朱效立马杰曹磊峰杨家敏谢常青刘明陈宝钦牛洁斌张庆钊姜骥赵珉叶甜春
关键词:电子束光刻透射光栅X射线光刻
90nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究被引量:1
2007年
进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。
张庆钊谢常青刘明李兵朱效立马杰
关键词:NM硅栅干法刻蚀
带支撑结构的大高宽比硬X射线波带片制作被引量:9
2009年
对利用X射线光刻制作大高宽比硬X射线波带片的设计和制作工艺进行了研究。采用电子束光刻制作X射线光刻掩模,并利用X射线光刻制作最终的硬X射线波带片。采用对光刻胶结构加入支撑点的方法,大大提高了X射线光刻制作硬X射线波带片的高宽比。对所加入支撑点的布置策略进行了优化,使得支撑点所占的面积比例减小。所制作的波带片最外环宽度为200nm,厚度为2.8μm,具有优良的结构质量,预期可用于10keV到25keV波段,并具有优于250nm的成像分辨率。
马杰曹磊峰谢常青吴璇李海亮朱效立刘明陈宝钦叶甜春
关键词:大高宽比X射线光刻衍射效率
2000lp/mm X射线透射变栅距光栅的研究被引量:5
2010年
针对X射线透射光栅摄谱仪中对高线密度聚焦变栅距光栅的需要,利用电子束光刻技术,研制了X射线透射变栅距光栅。利用变栅距光栅的自动生成宏文件程序,优化设计了变栅距光栅的版图,然后利用电子束光刻和微电镀技术在聚酰亚胺薄膜底衬上制备了X射线透射变栅距光栅。制作出中心线数为2000lp/mmX射线透射变栅距光栅,栅距变化符合设计要求。衍射效率标定的结果表明,制备的变栅距光栅在中心波长处聚焦作用明显,可以大幅提高衍射光强度和光栅的分辨本领,具有重要的应用价值。
靳飞飞朱效立李海亮马杰谢常青刘世炳
关键词:衍射光学电子束光刻
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