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闻莺

作品数：6 被引量：21H指数：3
供职机构：北京矿冶研究总院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇硅
  • 3篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇荧光
  • 2篇微区分析
  • 2篇砷
  • 2篇AS
  • 2篇SRXRF
  • 1篇阴极铜
  • 1篇荧光酮
  • 1篇原子
  • 1篇原子吸收
  • 1篇原子吸收光谱
  • 1篇原子吸收光谱...
  • 1篇原子吸收光谱...
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨炉
  • 1篇石墨炉原子
  • 1篇石墨炉原子吸...
  • 1篇石墨炉原子吸...

机构

  • 3篇北京矿冶研究...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 6篇闻莺
  • 3篇朱腾
  • 3篇刘亚雯
  • 3篇袁汉章
  • 2篇魏成连
  • 2篇吴强
  • 1篇刘世良
  • 1篇胡金生
  • 1篇高介平

传媒

  • 2篇冶金分析
  • 1篇科学通报
  • 1篇核技术
  • 1篇分析试验室
  • 1篇矿冶

年份

  • 1篇2003
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1994
  • 1篇1992
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
半导体硅材料中掺杂元素锗的SRXRF微区分析研究被引量：7
1994年
本文研究了同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对半导体材料硅单晶中掺杂元素Ｇｅ的微区分析。利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素Ｇｅ的二维分布图。实验结果表明，同步辐射Ｘ射线微荧光分析法对样品无导电性要求，可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段。对掺杂元素Ｇｅ在硅单晶生长过程中的分布行为和均匀性研究表明，在硅单晶生长的初始阶段由于小平面效应导致了掺杂元素径向分布的不均匀性，掺杂元素向单晶中心区域富集，这一结果为新型半导体材料的研制和生产提供了有价值的信息。
闻莺袁汉章朱腾刘亚雯
关键词：半导体硅锗微区分析
石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的研究被引量：8
2003年
研究了用石墨炉原子吸收光谱法测定高纯阴极铜中痕量硅的方法。采用钨涂层石墨管和氟化钾作基体改进剂双重手段阻止了碳化硅的生成 ,解决了石墨炉测硅时生成的碳化硅干扰准确测定的难题。方法灵敏度为 5 8× 10 - 1 1 g/1%吸收 ,硅测定范围为 0～ 15 0 μg/L ,对 10 0 μg/L硅标准溶液重复测定 10次 ,其相对标准偏差为 4 41%。对含 2 g/L铜的高纯铜溶液测得硅回收率为 98%。
闻莺刘世良高介平
关键词：高纯阴极铜硅石墨炉原子吸收光谱法
用同步辐射XRF研究单晶硅中掺杂元素As的分布被引量：1
1992年
半导体材料中掺入少量杂质元素可以改变材料性能,掺杂元素在晶体中的含量和分布直接影响材料的质量。电子技术的发展需要批量生产出高质量的各种掺杂的硅单晶材料,这就要求建立一种快速准确的分析测试手段与之相适应。 同步辐射X射线荧光(SRXRF)是80年代发展起来的一种新技术。
刘亚雯吴强胡金生魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词：XRF硅砷
用同步辐射X射线荧光微区分析技术测定单晶硅中的掺杂元素As被引量：2
1994年
利用同步辐射Ｘ射线微区分析技术，研究了单晶硅中掺杂元素Ａｓ浓度的定量分布，并对结果进行了讨论。
吴强刘亚雯魏成连袁汉章朱腾闻莺
关键词：X射线荧光硅
硅单晶中掺杂元素砷的SRXRF微区分析研究被引量：2
1999年
研究了同步辐射X射线微荧光分析法对硅单晶中掺杂元素As的微区分析．利用同步辐射光源的优越性和微区扫描装置获得了清晰的掺杂元素As的二维分布图，用四探针法验证了测定结果．实验结果表明，同步辐射X射线微荧光分析法可以成为对半导体材料硅单晶样品准确地进行大面积扫描微区测定的手段．本文用品体生长理论对实验结果进行了讨论．
闻莺
关键词：硅单晶砷微区分析
苯基荧光酮光度法测定铝合金中微量钛被引量：5
1998年
苯基荧光酮光度法测定铝合金中微量钛闻莺（北京矿冶研究总院，北京，１０００４４）铝合金广泛应用于航空、汽车、机械制造＊等领域。变形铝合金中添加微量钛可提高合＊金的强度和塑性，其含量的准确测定至关重＊要（１）。微量钛的测定，通常采用二安替比林甲烷吸光光度...
闻莺
关键词：铝合金光度法苯基荧光酮钛
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