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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇平坦化
  • 2篇化学机械平坦...
  • 2篇沟槽隔离
  • 2篇KINK效应
  • 1篇验用
  • 1篇智能功率模块
  • 1篇微处理器
  • 1篇微电子
  • 1篇接口
  • 1篇接口电路
  • 1篇刻蚀
  • 1篇隔离沟槽
  • 1篇功率
  • 1篇功率模块
  • 1篇沟槽
  • 1篇硅片
  • 1篇硅片加工
  • 1篇变频
  • 1篇变频器
  • 1篇STI

机构

  • 5篇中国科学院微...

作者

  • 5篇王新柱
  • 3篇欧文
  • 3篇申作成
  • 2篇钱鹤
  • 1篇徐秋霞
  • 1篇欧文

传媒

  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子技术(上...

年份

  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
基于智能功率模块的变频器被引量:1
2001年
文章介绍一种基于智能化功率模块器件IPM的可再扩展变频器的研制。此种变频器方便用户自行开发 ,可扩展能力强 ,易于与用户系统融于一体。此外 。
申作成王新柱欧文
关键词:变频器智能功率模块微处理器接口电路
实验用CMP机器的研制
随着集成电路多层布线技术和铜互连技术的应用,CMP技术以应用的越来越普遍.而CMP机器是必须的设备,并且国外的机器很贵,为了进行有关方面的研究,我们自行研制了能满足实验研究的CMP机器,在大专院校和研究所应能得到广泛的应...
欧文申作成王新柱钱鹤
关键词:硅片加工
文献传递
深亚微米隔离技术-浅沟槽隔工艺的研究
该论文主要的研究内容包括:1、完成了CMP设备的机械结构和电气控制系统的设计,研制成功一台实验型的CMP设备.并使用该设备进行了二氧化硅的平坦化实验,研究了工艺 参数对抛光速率和均匀性的影响,证明该设备较好地实现了设计要...
王新柱
关键词:化学机械平坦化KINK效应
深亚微米隔离技术——浅沟槽隔离工艺被引量:8
2002年
研究了浅沟槽隔离 (STI)工艺的各主要工艺步骤 :沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光平坦化 .使用器件模拟软件 Medici和 Davinci分析了 STI结构的隔离性能以及沟槽隔离 MOSFET的
王新柱徐秋霞钱鹤申作成欧文
关键词:化学机械平坦化KINK效应微电子
STI技术中隔离沟槽的刻蚀
随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场侵蚀,更好的平坦性和抗锁定性能以及低的结电容,已成为深亚微米工艺的主流隔离技术.本文地S...
欧文王新柱
关键词:刻蚀隔离沟槽
文献传递
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