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胡继超

作品数：19 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 18篇碳化硅
  • 16篇碳化硅衬底
  • 16篇硅衬底
  • 16篇衬底
  • 15篇碳化硅薄膜
  • 15篇硅薄膜
  • 14篇加热器
  • 14篇感应加热器
  • 7篇掺杂
  • 5篇压强
  • 4篇N型
  • 4篇P型
  • 3篇重掺杂
  • 3篇鼓泡
  • 3篇硅外延
  • 2篇生长速率
  • 2篇气流
  • 2篇外延层
  • 2篇氩
  • 1篇低密度

机构

  • 19篇西安电子科技...

作者

  • 19篇胡继超
  • 18篇张玉明
  • 16篇王悦湖
  • 16篇张艺蒙
  • 13篇宋庆文
  • 4篇贾仁需
  • 2篇韩超
  • 2篇郭辉

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 15篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
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4H-SiC低压同质外延生长和器件验证
作为第三代半导体材料的之一，碳化硅（SiC）材料具有宽的禁带、高的击穿电场、高电子漂移速度和高热导率等优势，是制备高压、高温、大功率、抗辐射的电力电子功率器件的理想材料之一。经过近30年的发展，SiC电子器件已广泛应用于...
胡继超
关键词：本征缺陷碳化硅第三代半导体
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一种控制生长压强N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制生长压强N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
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一种控制掺杂源流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制掺杂源流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
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一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
王悦湖胡继超宋庆文张艺蒙张玉明
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一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
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4H-SiC同质外延生长方法
本发明涉及一种4H-SiC衬底上的同质外延方法，所述方法包括：将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；通入H<Sub>2</Sub>，进行10分钟的原位刻蚀；将反应室压强降低为40mbar，保持温...
贾仁需胡继超张玉明王悦湖张艺蒙
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一种P型梯度掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种P型梯度掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达100mba...
王悦湖胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
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低压制备碳化硅薄膜外延的方法
本发明涉及一种低压制备碳化硅薄膜外延的方法。该方法包括：将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，并将反应室抽成真空；向反应室中通入具有第一恒定流量的第一氢气流，在第一氢气流及第一恒压下对反应室加热至第一恒温；在第一...
韩超胡继超张玉明贾仁需郭辉王雨田
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一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；（2）向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖涂银辉胡继超张艺蒙宋庆文张玉明
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