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周东站

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京交通大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇平板显示
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇氧化铟
  • 2篇生长温度
  • 2篇退火
  • 2篇退火温度
  • 2篇溅射功率
  • 2篇氩
  • 1篇氮掺杂
  • 1篇氧化锌
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇锂

机构

  • 5篇北京交通大学

作者

  • 5篇周东站
  • 4篇王海龙
  • 4篇张希清
  • 4篇王永生
  • 4篇李彬
  • 4篇高耸
  • 4篇彭云飞
  • 2篇衣立新

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
文献传递
锂氮掺杂氧化锌薄膜晶体管的制备与性能
ZnO基TFT因其在平板显示和透明电路领域的广阔应用前景而备受国内外的关注。由于ZnO中存在Zn填隙、O空位等本征缺陷，致使常规制备的ZnO薄膜中载流子浓度会较大，使得制备的未掺杂的ZnO-TFT的关态电流较大，开关比偏...
周东站
关键词：氧化锌薄膜晶体管磁控溅射共掺杂
文献传递
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
文献传递
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
文献传递
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
文献传递
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