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高耸

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇平板显示
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 3篇溅射
  • 2篇氧化铟
  • 2篇生长温度
  • 2篇退火
  • 2篇退火温度
  • 2篇溅射功率
  • 2篇氩
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇性能评价
  • 1篇氧化物
  • 1篇金属
  • 1篇金属氧化物

机构

  • 5篇北京交通大学

作者

  • 5篇高耸
  • 4篇王海龙
  • 4篇张希清
  • 4篇王永生
  • 4篇李彬
  • 4篇周东站
  • 4篇彭云飞
  • 2篇衣立新

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
文献传递
LiMgZnO薄膜晶体管的研制
透明薄膜晶体管(TFT)是广泛应用在平板显示和透明电路等领域的电子器件。随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展，硅基TFT已经不能很好的满足其在工业上的应用，主要原因是硅基TFT有着迁移率太低(＜1 cm2/Vs...
高耸
关键词：金属氧化物性能评价
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
文献传递
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
文献传递
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
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