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彭云飞

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇晶体管
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇平板显示
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇氧化铟
  • 2篇生长温度
  • 2篇退火
  • 2篇退火温度
  • 2篇溅射功率
  • 2篇氩
  • 1篇电学性能
  • 1篇溅射法
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 5篇北京交通大学

作者

  • 5篇彭云飞
  • 4篇王海龙
  • 4篇张希清
  • 4篇王永生
  • 4篇李彬
  • 4篇周东站
  • 4篇高耸
  • 2篇衣立新

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
文献传递
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为ZnLi<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>O或ZnMg<Sub>z</Sub>Li<Sub...
张希清周东站王海龙李彬高耸彭云飞王永生
文献传递
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
文献传递
InZnO:N薄膜晶体管的研制
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)广泛应用于显示领域，随着人们对显示器件尺寸和性能需求的提高，非晶硅TFT因迁移率太低（小于1 cm2/V s）、多晶硅TFT大面积一致性差以及对可见光敏感等缺...
彭云飞
关键词：薄膜晶体管磁控溅射法电学性能
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一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法，涉及一种透明薄膜晶体管。解决了薄膜晶体管迁移率低的问题。该薄膜晶体管的沟道层为InZn<Sub>x</Sub>Li<Sub>y</Sub>N<Sub>z</Sub>O；InZn<Sub...
张希清李彬王海龙周东站彭云飞高耸衣立新王永生
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