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马小龙

作品数：70 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 69篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 36篇沟道
  • 32篇半导体
  • 27篇半导体器件
  • 23篇鳍片
  • 21篇纳米
  • 21篇纳米线
  • 20篇载流子
  • 19篇堆叠
  • 19篇刻蚀
  • 18篇载流子迁移率
  • 18篇栅极
  • 18篇迁移率
  • 12篇晶体管
  • 12篇侧墙
  • 11篇衬底
  • 10篇沟道效应
  • 9篇短沟道
  • 8篇短沟道效应
  • 8篇选择性刻蚀
  • 8篇应力

机构

  • 70篇中国科学院微...

作者

  • 70篇马小龙
  • 69篇殷华湘
  • 26篇朱慧珑
  • 26篇秦长亮
  • 22篇徐秋霞
  • 16篇陈大鹏
  • 11篇许淼
  • 11篇付作振
  • 8篇赵超
  • 6篇李俊峰
  • 6篇王桂磊
  • 6篇洪培真
  • 3篇赵利川
  • 3篇周华杰
  • 2篇闫江
  • 2篇赵恒亮
  • 2篇赵治国
  • 2篇张永奎
  • 2篇杨红
  • 2篇张严波

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 13篇2018
  • 4篇2017
  • 17篇2016
  • 7篇2015
  • 15篇2014
  • 8篇2013
共 70 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体器件制造方法
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀鳍片，形成源漏区沟槽；执...
殷华湘秦长亮马小龙王桂磊朱慧珑
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个鳍片，其中鳍片沿第一方向延伸并且具有类菱形截面；在每个鳍片上形成栅极堆叠结构，栅极堆叠结构横跨多个鳍片并且沿第二方向延伸；其中，每个鳍片中位于栅极堆叠结构下方的部...
马小龙殷华湘许淼朱慧珑
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堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：在衬底上形成介质堆叠结构；在介质堆叠结构中刻蚀形成第一沟槽；在介质堆叠结构中、第一沟槽的侧面刻蚀形成第二沟槽；在第一和第二沟槽中外延生长半导体材料；去除介质堆叠结构，留下半导体材...
马小龙殷华湘周华杰徐秋霞赵恒亮许淼朱慧珑
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CMOS及其制造方法
本发明公开了一种CMOS，包括：第一MOSFET；第二MOSFET，与第一MOSFET类型不同；第一应力衬层，覆盖了第一MOSFET，具有第一应力；第二应力衬层，覆盖了第二MOSFET，具有与第一应力类型不同的第二应力；...
殷华湘马小龙徐秋霞陈大鹏
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堆叠纳米线制造方法
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：步骤a，在衬底上形成硬掩模；步骤b，刻蚀衬底形成第一沟槽；步骤c，在第一沟槽底部形成底部刻蚀停止层；步骤d，刻蚀第一沟槽，在第一沟槽侧面形成第二沟槽；步骤e，圆润化鳍片，形成堆叠...
马小龙秦长亮殷华湘付作振
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堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
一种堆叠纳米线MOS晶体管制作方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在每个鳍片中形成多个纳米线，相邻纳米线之间具有保护层；在纳米线上形成沿第二方向延伸并包围多个纳米线的伪栅极堆叠；在伪栅极堆叠两侧形成源漏区，...
殷华湘马小龙秦长亮朱慧珑陈大鹏
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半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构周围形成假栅极侧墙；在衬底、栅极堆叠结构以及假栅极侧墙上沉积DLC材质的应力垫层；执行退火，使得栅极堆叠结构和栅极堆叠结构下方的衬底中的沟...
殷华湘梁擎擎马小龙
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FinFET器件及其制作方法
本发明公开了一种FinFET器件及其制造方法，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片结构；多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向两侧；多个沟道区，由位于多个源漏区之间的...
殷华湘马小龙徐唯佳徐秋霞朱慧珑
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堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法
本发明公开了一种堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法，包括：由多个纳米线上下层叠构成的串珠状的纳米线堆叠，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠，沿第二方向延伸并且跨越了每个纳米线堆叠；多个源漏区，位于每个栅极堆叠沿第二方向...
殷华湘马小龙徐唯佳徐秋霞朱慧珑
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鳍式场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成栅极；去除栅极两端的部分厚度的鳍，以形成下沉区；进行外延生长及原位掺杂，以在下沉区表面上形成具有第一掺杂类型...
殷华湘秦长亮马小龙王桂磊朱慧珑
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