2024年8月31日
星期六
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
张斌
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子部
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
郭伟玲
北京工业大学
赵瑞东
北京工业大学
李学信
北京工业大学
程尧海
北京工业大学
李志国
北京工业大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
电子电信
主题
1篇
化合物半导体
1篇
半导体
1篇
半导体器件
1篇
TI
1篇
AU
1篇
MO
1篇
N-GAAS
机构
1篇
北京工业大学
1篇
电子部
作者
1篇
李志国
1篇
程尧海
1篇
李学信
1篇
赵瑞东
1篇
郭伟玲
1篇
张斌
传媒
1篇
电子产品可靠...
年份
1篇
1995
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
n-GaAs Ti/Mo/Ti/Au肖特基势垒接触失效机理的研究
被引量:3
1995年
为了弄清界面态、电徙动、界面扩散及反应对肖特基势垒接触和器件电学特性的影响,我们对以Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAs MESFET进行了四种不同的应力试验:1.常温反偏(HRB)。2.高温反偏(HTRB)。3.高温正向大电流(HFGC)。4.高温贮存(HTS)。HRB试验中从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大。HTS试验中Φ_b从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,其次为电徙动及断栅现象。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面发生模糊,有明显的互扩散和反应发生。
李志国
赵瑞东
李学信
郭伟玲
程尧海
张斌
关键词:
化合物半导体
半导体器件
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张