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王颖

作品数:6 被引量:14H指数:2
供职机构:北京大学信息科学技术学院微米纳米加工技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇键合
  • 2篇芯片
  • 2篇共晶键合
  • 1篇阳极键合
  • 1篇英文
  • 1篇双层膜
  • 1篇隧道效应
  • 1篇驻极体
  • 1篇自对准
  • 1篇微电子
  • 1篇微机电系统
  • 1篇微机械
  • 1篇微机械电子系...
  • 1篇芯片测试
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀技术
  • 1篇机电系统
  • 1篇加速度
  • 1篇加速度计
  • 1篇键合强度

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇李婷
  • 6篇王颖
  • 4篇张大成
  • 3篇田大宇
  • 3篇闫桂珍
  • 2篇王玮
  • 2篇王翔
  • 1篇吕知秋
  • 1篇贾玉斌
  • 1篇金玉丰
  • 1篇董海峰
  • 1篇张锦文
  • 1篇郝一龙
  • 1篇陈治宇

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第五届全国微...
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种Au-Si键合强度检测结构与试验
设计了一种Au-Si键合强度检测结构.通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度;采用同一结构尺寸,可以比较不同条件下键合强度的相对大小;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测...
王翔李婷王玮王颖田大宇张大成
关键词:共晶键合芯片测试键合强度
文献传递
PECVDSiO_2/Si_3N_4双层膜驻极体性能被引量:1
2008年
本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。
陈治宇吕知秋张锦文金玉丰李婷田大宇王颖
关键词:驻极体PECVD
基于阳极键合干法刻蚀技术的MEMS隧道加速度计的加工及测试(英文)被引量:1
2004年
提出了一种基于北京大学硅玻璃键合深刻蚀释放工艺的扩展工艺 ,用来加工微型隧道加速度计 .采用HP4 14 5 B半导体分析仪在大气环境下对所加工的器件进行了开环测试 ,验证了隧道电流的存在以及隧道间隙与隧道电流之间的指数关系 .实验结果外推出的隧道势垒的范围为 1.182~ 2 .177e V.大部分器件的开启电压在 14~16 V之间 .在 - 1,0和 +1g三种状态下对开启电压分别进行了测试 ,得到加速度计的灵敏度约为 87m V/g.
董海峰郝一龙贾玉斌闫桂珍王颖李婷
关键词:隧道效应加速度计微机电系统
一种Au-Si键合强度检测结构与试验被引量:3
2003年
设计了一种Au Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测 ,可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度 ;采用同一结构尺寸 ,可以比较不同条件下键合强度的相对大小 ;此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au Si键合强度 。
王翔李婷王玮王颖田大宇张大成
关键词:共晶键合芯片
金属剥离与衬底腐蚀等平面自对准OHR技术研究被引量:9
2002年
开发了一套OHR(OverhangResist)技术。在原来剥离工艺的基础上,增加苯处理和高温烘烤工艺,使光刻胶掩膜既保持有利于剥离的形状,腐蚀时又不发生钻蚀,完成自对准腐蚀与等平面的金属剥离。这一技术可以广泛地应用于MEMS和集成电路加工工艺中,使器件工艺简化,降低成本,提高质量。
闫桂珍张大成李婷王颖
关键词:微电子
一种新型的金属剥离技术研究
提出了一种用于MEMS工艺的DRT金属剥离新技术.采用双层普通正性光刻胶,两次曝光,再用甲苯处理,使光刻胶断面上宽下窄,表面呈倒角悬垂.淀积金属后,用丙酮作剥离液,不需要加速超声波振动,很容易地完成金属剥离.
闫桂珍张大成李婷王颖
关键词:光刻微机械电子系统
文献传递
共1页<1>
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