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刘震

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇晶闸管
  • 4篇宽光谱
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇光谱
  • 3篇半导体
  • 2篇电子器件
  • 2篇栅电极
  • 2篇输出功率
  • 2篇重掺杂
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件
  • 2篇高输出
  • 2篇高输出功率
  • 2篇半导体光电
  • 2篇半导体光电子...
  • 1篇稳定性
  • 1篇高稳定
  • 1篇高稳定性

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇于红艳
  • 4篇周旭亮
  • 4篇潘教青
  • 4篇王圩
  • 4篇刘震
  • 4篇王嘉琪

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2017
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，...
王嘉琪刘震于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
文献传递
一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层...
刘震王嘉琪于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层...
刘震王嘉琪于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
文献传递
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，...
王嘉琪刘震于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
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