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文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 8篇激光
  • 8篇激光器
  • 6篇半导体
  • 4篇晶闸管
  • 4篇宽光谱
  • 4篇光谱
  • 3篇多波长
  • 3篇阵列
  • 3篇激光器阵列
  • 3篇光栅
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇波长
  • 2篇电子器件
  • 2篇栅电极
  • 2篇输出功率
  • 2篇重掺杂
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇光电子器件

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇潘教青
  • 9篇王嘉琪
  • 8篇周旭亮
  • 7篇于红艳
  • 7篇王圩
  • 4篇刘震
  • 1篇倪海桥
  • 1篇陆丹
  • 1篇马奔
  • 1篇王火雷

传媒

  • 1篇中物院高能激...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2014
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器
本发明公开了一种外腔式自反馈窄线宽半导体激光器,包括:一半导体增益芯片,用于产生光增益;一布拉格光纤光栅,布拉格光纤光栅与增益芯片之间通过直接耦合的方式连接,用于对增益芯片产生的光进行反馈;一光分束器,用于对光进行一定比...
李召松陆丹贺一鸣王嘉琪周旭亮潘教青
文献传递
一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器,涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构,提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器,包括:量子阱有源区层...
刘震王嘉琪于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
文献传递
1.06μm量子阱被动锁模半导体激光器
本文报道了一种基于多量子阱结构的两段式单片集成被动锁模半导体激光器,激射波长1038nm.并且可以得到脉冲宽度2.6ps、峰值功率211.1mW的锁模脉冲,脉冲序列重复频率均为24.27GHz.改变材料的掺杂浓度,可以实...
王嘉琪王火雷马奔倪海桥潘教青
关键词:半导体激光器多量子阱结构被动锁模
文献传递
多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层;通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长;在光栅层上依次外延生长覆盖...
周旭亮李召松王梦琦王嘉琪于红艳潘教青王圩
文献传递
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法,涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括:在衬底上制备半导体外延层结构,在半导体外延层结构上形成脊条结构,在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中,...
王嘉琪刘震于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
文献传递
一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法
一种多波长硅基微腔激光器阵列及其制备方法,该制备方法包括:在硅衬底上依次外延生长锗层、成核层、缓冲层和激光器外延层;对所述激光器外延层的波导区域进行阱层混杂工艺;在所述激光器外延层上刻蚀形成耦合波导和至少两种尺寸大小的微...
周旭亮李召松王梦琦王嘉琪于红艳潘教青王圩
文献传递
宽光谱晶闸管激光器的制备方法
本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法,涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括:在衬底上制备半导体外延层结构,在半导体外延层结构上形成脊条结构,在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中,...
王嘉琪刘震于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器,涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构,提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器,包括:量子阱有源区层...
刘震王嘉琪于红艳周旭亮李召松王圩潘教青
多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法,其中制备方法包括以下步骤:在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层;通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长;在光栅层上依次外延生长覆盖...
周旭亮李召松王梦琦王嘉琪于红艳潘教青王圩
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