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刘渝珍

作品数：21 被引量：61H指数：5
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石万全
供职机构：中国科学院研究生院
研究主题：硅 离子注入 氮化硅 LPCVD 氮化硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘世祥
供职机构：中国科学技术大学研究生院
研究主题：LPCVD 氮化硅薄膜 氮化硅 可见光发射 室温
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩一琴
供职机构：中国科学院研究生院
研究主题：多晶硅薄膜 微晶硅薄膜 热丝 热丝化学气相沉积 LPCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董立军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 氮化硅薄膜 红外焦平面阵列 纳米孔 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘金龙
供职机构：中国科学技术大学
研究主题：太阳电池 氮化硅 硅 半导体薄膜技术 PECVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚德成
供职机构：中国科学院大学
研究主题：单光子 镁 氢原子 激光诱导 密码学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小波
供职机构：中国科学院研究生院
研究主题：A-SI X 光致发光 PL H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：LPCVD X射线光刻 氮化硅 氮化硅薄膜 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙宝银
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 LPCVD X射线光刻 氮化硅 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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