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刘键

作品数:94 被引量:51H指数:4
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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地区

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78 条 记 录,以下是 1-10
刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
饶志鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
和致经
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:ALGAN/GAN 欧姆接触 HEMT ALGAN/GAN_HEMT HEMTS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李勇滔
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李诚瞻
供职机构:株洲南车时代电气股份有限公司
研究主题:外延层 碳化硅 ALGAN/GAN 欧姆接触 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石莎莉
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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