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曾绍鸿

作品数:20 被引量:27H指数:4
供职机构:华南理工大学理学院应用物理系更多>>
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领域

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机构

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地区

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17 条 记 录,以下是 1-10
黄美浅
供职机构:华南理工大学电子与信息学院
研究主题:MOSFET 跨导 轰击 界面态 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李观启
供职机构:华南理工大学理学院
研究主题:MOSFET 跨导 轰击 晶体管 氧化膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾勇彪
供职机构:华南理工大学
研究主题:镧 辐照 硅外延层 硅单晶片 光敏元件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈蒲生
供职机构:华南理工大学理学院应用物理系
研究主题:SIO XN 介质膜 热氮化 PECVD法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘小阳
供职机构:华南理工大学机械与汽车工程学院机械电子工程系
研究主题:XN PECVD法 SIO 介质膜 俄歇电子能谱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯文修
供职机构:华南理工大学理学院应用物理系
研究主题:SIO XN 介质膜 二氧化硅 超薄
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄钊洪
供职机构:华南师范大学信息光电子科技学院
研究主题:磁阻效应 磁阻式 锑化铟 INSB-IN 磁阻元件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王川
供职机构:华南理工大学
研究主题:PECVD法 SIO XN 介质膜 PECVD法制备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘百勇
供职机构:华南理工大学理学院应用物理系
研究主题:扩展电阻 SIO 温度传感器 热氮化 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昊
供职机构:信息产业部电子第五研究所
研究主题:XN 介质膜 俄歇电子能谱 PECVD法 电学性能
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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