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2025年1月27日星期一

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孟令款: 作品数：77 被引量：4H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

闫江中国科学院微电子研究所
贺晓彬中国科学院微电子研究所
李春龙中国科学院微电子研究所
徐秋霞中国科学院微电子研究所
殷华湘中国科学院微电子研究所

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共 25 条记录，以下是 1-10

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闫江: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件刻蚀掩模栅极衬底; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

贺晓彬: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：刻蚀光刻胶电子束曝光电子束掩模; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

李春龙: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件衬底刻蚀掩模粗糙度; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

徐秋霞: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：金属栅半导体器件刻蚀沟道堆叠; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

殷华湘: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件沟道栅极衬底鳍片; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

李俊峰: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件刻蚀衬底沟道栅极; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

陈大鹏: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：半导体器件刻蚀沟道焦平面阵列 MEMS; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

洪培真: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：刻蚀刻蚀工艺纳米线栅极衬底; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

赵超: 供职机构：清华大学; 研究主题：半导体器件衬底栅极沟道金属硅化物; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

杨涛: 供职机构：中国科学院微电子研究所; 研究主题：刻蚀衬底半导体器件化学机械平坦化牺牲层; 发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域

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